技术编号:3290158
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种具有多环境适应性的二硫化钼/含氢非晶碳多层薄膜材料的制备技术。采用MoS2/a-CH多层结构的设计,并利用反应非平衡磁控溅射技术制备。制备方法简便,而且制备的薄膜结构致密,避免了贯穿膜层的空洞缺陷;同时硬质a-CH膜层提高了薄膜的承载能力,软质MoS2膜层提高了薄膜的润滑性能,从而提高了薄膜的多环境适应性。MoS2/a-CH多层薄膜在真空、空气、氮气环境中均具有良好的摩擦学性能,可以用作空间润滑材料在载人航天飞船、星际探测器、人造卫星等众多领...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。