技术编号:3295893
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,包括A、直流电源溅射Cu靶,在玻璃基板上磁控溅射Cu层;B、交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶,在所述Cu层上磁控溅射第一Al2O3金属陶瓷层,其中按质量百分比所述Al2O3陶瓷靶中掺30-45%的钨;C、交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶,在步骤B中所述第一Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射第二Al2O3金属陶瓷层,其中按质量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中掺10-25%的钨;D、交流电源溅射硅铝合金旋转靶,在步骤C中第二Al2O3金属陶...
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