平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，包括：A、直流电源溅射Cu靶，在玻璃基板上磁控溅射Cu层；B、交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在所述Cu层上磁控溅射第一Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述Al2O3陶瓷靶中掺30-45%的钨；C、交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤B中所述第一Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射第二Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中掺10-25%的钨；D、交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在步骤C中第二Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射SiO2层。本发明的目的提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法。
【专利说明】平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法。
【背景技术】 [0002]现有的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜其结构相对比较复杂，制备工艺复杂，生产成本高。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法。
[0004]为了达到上述目的，本发明采用以下方案:
[0005]一种平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于包括以下步骤:
[0006]A、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射Cu靶，在玻璃基板上磁控溅射Cu层；
[0007]B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤A中所述Cu层上磁控溅射第一Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述Al2O3陶瓷靶中掺30-45%的鹤;
[0008]C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤B中所述第一Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射第二Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中掺10-25%的钨；
[0009]D、采用用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在步骤C中第二 Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射SiO2层。
[0010]如上所述的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于步骤A中所述Cu层的厚度为200nm。
[0011]如上所述的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于步骤A中采用四个阴极溅射，每个阴极功率约60KW。
[0012]如上所述的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于步骤D中所述SiO2层的厚度为80nm。
[0013]如上所述的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于步骤D中所述硅铝合金旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，氩气与氧气的体积比为1:2，交流电源的溅射功率为50~75KW。
[0014]综上所述，本发明的有益效果:
[0015]本发明工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。用本发明方法制备的太阳能热水器与管式太阳能热水器相比:占地面积小、美观；吸热高；基板采用不锈钢，不易损坏。
【具体实施方式】[0016]下面结合【具体实施方式】对本发明做进一步描述:
[0017]实施例1
[0018]本发明一种平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，包括以下步骤:
[0019]A、采用氩气作为反应气体，其中氩气的体积流量为1000sccm,直流电源溅射Cu靶，在玻璃基板上磁控溅射Cu层；所述Cu层的厚度为200nm。采用四个阴极溅射，每个阴极功率约60KW。
[0020]B、采用氩气作为反应气体，其中氩气的体积流量为1000sccm,交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤A中所述Cu层上磁控溅射第一 Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述Al2O3陶瓷靶中掺30%的钨；
[0021]C、采用氩气作为反应气体，其中氩气的体积流量为1000sccm,交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤B中所述第一Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射第二Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中掺10%的钨；
[0022]D、采用用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在步骤C中第二 Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射SiO2层。所述SiO2层的厚度为80nm，所述硅铝合金旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，氩气与氧气的体积比为1:2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm，交流电源的溅射功率为50KW。
[0023]实施例2
[0024]本发明一种平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，包括以下步骤:
[0025]A、采用氩气作为反应气体，其中氩气的体积流量为1000sccm,直流电源溅射Cu靶，在玻璃基板上磁控溅射Cu层；所述Cu层的厚度为200nm。采用四个阴极溅射，每个阴极功率约60KW。
[0026]B、采用氩气作为反应气体，其中氩气的体积流量为1000sccm,交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤A中所述Cu层上磁控溅射第一 Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述Al2O3陶瓷靶中掺35%的钨；
[0027]C、采用氩气作为反应气体，其中氩气的体积流量为1000sccm,交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤B中所述第一Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射第二Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中掺15%的钨；
[0028]D、采用用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在步骤C中第二 Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射SiO2层。所述SiO2层的厚度为80nm，所述硅铝合金旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，氩气与氧气的体积比为1:2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1OOOsccm,交流电源的派射功率为65KW。
[0029]实施例3
[0030]本发明一种平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，包括以下步骤:
[0031]A、采用氩气作为反应气体，其中氩气的体积流量为1000sccm,直流电源溅射Cu靶，在玻璃基板上磁控溅射Cu层；所述Cu层的厚度为200nm。采用四个阴极溅射，每个阴极功率约60KW。[0032]B、采用氩气作为反应气体，其中氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤A中所述Cu层上磁控溅射第一 Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述Al2O3陶瓷靶中掺45%的钨；
[0033]C、采用氩气作为反应气体，其中氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤B中所述第一Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射第二Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中掺25%的钨；
[0034]D、采用用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在步骤C中第二 Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射SiO2层。所述SiO2层的厚度为80nm，所述硅铝合金旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，氩气与氧气的体积比为1:2，即氩气与氧气的体积流量比为500SCCm: lOOOsccm，交流电源的溅射功率为75KW。
[0035]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于包括以下步骤:
A、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射Cu靶，在玻璃基板上磁控溅射Cu层； B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤A中所述Cu层上磁控溅射第一 Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述Al2O3陶瓷靶中掺30-45%的钨； C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺钨Al2O3金属陶瓷靶，在步骤B中所述第一Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射第二 Al2O3金属陶瓷层，其中按质量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中掺10-25%的钨； D、采用用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在步骤C中第二 Al2O3金属陶瓷层上磁控溅射SiO2层。
2.根据权利要求1所述的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于步骤A中所述Cu层的厚度为200nm。
3.根据权利要求1所述的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于步骤A中采用四个阴极溅射，每个阴极功率约60KW。
4.根据权利要求1所述的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于步骤D中所述SiO2层的厚度为80nm。
5.根据权利要求1所述的平板太阳能热水器吸热元件用的选择性吸收膜制备方法，其特征在于步骤D中所述硅铝合金旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，氩气与氧气的体积比为1:2，交流电源的溅射功率为50~75KW。
【文档编号】C23C14/16GK103613288SQ201310571174
【公开日】2014年3月5日 申请日期:2013年11月16日 优先权日:2013年11月16日
【发明者】陈路玉 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司