技术编号:3298648
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明揭示了,包括提供石墨烯生长衬底,将衬底置于加热形成的高温区域;在垂直于衬底并沿衬底需要沉积石墨烯薄膜的表面法线方向依次施加加速电场和筛选磁场,衬底作为加速电场的正极;加热衬底、筛选磁场区域和加速电场区域;通入含碳气体作为碳源,在通入筛选磁场区域之前将含碳气体电离成等离子体;等离子体以射流的形式进入筛选磁场区域,射流中带电离子根据带电荷量的不同在筛选磁场的作用下有不同运动半径;碳离子被筛选出来后进入到加速电场中,在加速电场的作用下加速到一定速度后撞击衬...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。