技术编号：32994208
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种鳍式场效晶体管(finfet)半导体元件及其制作方法。背景技术.鳍式场效晶体管(finfet)是非平面的多栅极晶体管，具有从栅极垂直延伸并形成晶体管的源极和漏极的“鳍”。多个finfet可以彼此耦合以提供集成电路元件。导电层可以形成在鳍之上以在相邻的finfet之间提供局部互连。.使用局部互连可实现更高的封装密度和更低的阻值rsd。然而，局部互连的槽接触的形成增加了寄生边缘电容(cof)，这显著降低了电路速度。因此，本领域需要提供一种改进的半导体元...
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