技术编号:3308619
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供即使是200nm以下的铁电体膜厚存储窗也大且具有优异的数据保持特性和优异的脉冲重写耐性等的FeFET(铁电场效应晶体管)。所述FeFET具有在有源极区(12)和漏极区(13)的半导体基体(10)上依次层叠有绝缘体(11)和栅电极导体(4)的结构,绝缘体(11)是在基体(10)上依次层叠第一绝缘体(1)、第二绝缘体(2)而构成,第二绝缘体(2)的主成分为锶和钙和铋和钽的氧化物。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体铁电存储晶体管、半导体铁电存储器...
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