技术编号:3312361
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,它采用在柔性衬底材料上采用先磁控溅射沉积金属Zn薄膜,再进行硫化处理的方法制备ZnS薄膜,具体步骤如下选用金属Zn靶作为溅射靶材;对柔性衬底材料进行清洗;利用磁控溅射方法,在柔性衬底上沉积金属Zn薄膜;在硫气氛中对制备的金属Zn薄膜进行硫化处理,使Zn薄膜与硫反应生成柔性衬底ZnS薄膜;本发明适用于不同类型的柔性衬底材料,具有工艺简单、能够有效调节薄膜的组分、成本低廉、适用于大规模生产等优点。专利说明[0001]本发明属于半导体光电薄膜材料的...
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