技术编号:3313062
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法和磁控溅射装置,透明导电薄膜的制备方法包括如下步骤预备磁控溅射设备、靶材和衬底;所述靶材是掺杂有ZnF2的ZnO陶瓷靶材,ZnF2的质量占所述靶材的总质量的0.1%~1%;为衬底建立相对于靶材的、大小为60V~300V的负电势;以及通入工艺气体,开启磁控溅射,在衬底上沉积透明导电薄膜。这种透明导电薄膜的制备方法,在透明导电薄膜的沉积过程中,通过在衬底的背面设置相对于大地具有60V~300V的负电势的背电极,形成稳定的...
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