技术编号:33159953
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种半导体制造技术,且特别是涉及一种半导体装置及其制造方法。背景技术.半导体装置例如晶体管已经发展了很长一段时间。晶体管包括平面装置及垂直装置。平面装置例如为薄膜晶体管,其中源极与漏极在栅极之上,且通道长度(lg)被定义为源极与漏极之间的间距。然而,随着装置尺寸的小型化,希望通道长度更小。因此,由于光刻制作工艺分辨率的限制,平面装置的lg无法满足需求。.垂直装置例如为d晶体管,其中垂直通道形成于基板上,源极与漏极设置在垂直通道的两端,垂直装置的lg被定义为栅极的厚度。因此,垂...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。