技术编号：33159953
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种半导体制造技术，且特别是涉及一种半导体装置及其制造方法。背景技术.半导体装置例如晶体管已经发展了很长一段时间。晶体管包括平面装置及垂直装置。平面装置例如为薄膜晶体管，其中源极与漏极在栅极之上，且通道长度(lg)被定义为源极与漏极之间的间距。然而，随着装置尺寸的小型化，希望通道长度更小。因此，由于光刻制作工艺分辨率的限制，平面装置的lg无法满足需求。.垂直装置例如为d晶体管，其中垂直通道形成于基板上，源极与漏极设置在垂直通道的两端，垂直装置的lg被定义为栅极的厚度。因此，垂...
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