技术编号:3316603
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法首先采用Bi2O3,MgO,Nb2O5和TiO2,以传统的固相反应法,制备Bi1.5Mg0.5Nb0.5Ti1.5O7简称BMNT陶瓷靶材;再通过磁控溅射方法制备厚度为100~300nm的BMNT薄膜;再于气氛炉中700℃后退火处理,最后在BMNT薄膜上面制备金属电极。本发明通过将钛离子掺入铋基材料中,优化了铋基薄膜的调谐性,在1MV/cm的驱动电压下,其调谐率达到35%,优于相同条件下BMN薄膜的调谐率(...
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