技术编号：33190444
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本专利通过在聚芴高分子链的末端引入低空间位阻的酚乙基羟基，使其可以与pst等含羧基端基聚合物进行对接反应，得到各嵌段mn可被精确控制的聚芴嵌段共聚物。该制备方法属于光电高分子材料化学领域。背景技术.作为一种具有优良加工性以及光电性能的高分子材料，聚芴一直被认为是oled的理想高分子材料。但是聚芴中存在共轭聚合物中晶格缺陷所导致电子传输率低于空穴传输率的通病，所以往往通过在聚芴链中引入非荧光聚合物形成嵌段共聚物，降低晶格缺陷浓度从而降低空穴传输率达到光电传输的平衡(①yassar,a.；mi...
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