技术编号:3322889
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。SiCOH低K膜的气相沉积法相关申请案的交叉引用本申请主张2010年2月17日提交的美国临时申请第61/305,491号的权益,其全部内容以引用的方式并入本文中。权利要求1.一种在基质上形成SiCOH膜层的方法,所述方法包括以下步骤 -提供安置有至少一个基质的反应室; -向反应室中引入含Si-(CH2)n-Si的前驱体,其中n=l或2,含Si-(CH2)n-Si的前驱体选自由以下组成的组2.根据权利要求I的方法,其中该含乙烯基的前驱体选自由乙烯基二乙...
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