专利名称：SiCOH低K膜的气相沉积法的制作方法
SiCOH低K膜的气相沉积法相关申请案的交叉引用本申请主张2010年2月17日提交的美国临时申请第61/305，491号的权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。
权利要求
1.一种在基质上形成SiCOH膜层的方法，所述方法包括以下步骤 -提供安置有至少一个基质的反应室； -向反应室中引入含Si-(CH2)n-Si的前驱体，其中n=l或2，含Si-(CH2)n-Si的前驱体选自由以下组成的组
2.根据权利要求I的方法，其中该含乙烯基的前驱体选自由乙烯基二乙氧基硅烷、乙稀基~■甲氧基娃烧、乙稀基二甲氧基娃烧、乙稀基二乙氧基娃烧、乙稀基甲基_■甲氧基娃烧和乙稀基甲基_■乙氧基娃烧组成的组，优选为乙稀基二乙氧基娃烧或乙稀基甲基_■乙氧基硅烷。
3.根据权利要求I或2的方法，其中致孔剂为经取代或未经取代的双环[2.2. I]庚-2，5- 二烯。
4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中沉积方法为单频PECVD。
5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其进一步包含使SiCOH膜变得多孔的步骤。
6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中Rl至R4不为H。
7.根据权利要求6的方法，其中含Si-(CH2)n-Si的前驱体选自由(EtO) 3Si-CH2-Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si_CH2_Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si_CH2_Si (OEt) HMe、Me2(OEt)Si-CH2-Si (OEt)2H' (EtO)Me2SiCH2Si (OMe)2H, Me2(OEt)Si-CH2-Si (OEt) HMe、(OEt)3Si-CH2-Si (OEt) HMe、(EtO)3Si-CH2-Si (OMe) HMe、Me(OMe)2Si-CH2-Si (OMe)2H,Me(OMe)2Si-CH2-Si (OMe) HMe、Me2(OMe)SiCH2Si (OMe)2H 和 Me2(OEt)Si-CH2-Si (OMe)HMe 组成的组，优选 Me (OEt)2Si-CH2-Si (OEt) 2H、Me2(OEt)Si-CH2-Si(OEt)2H 和Me (OEt) 2Si-CH2-Si (OEt) HMe。
8.根据权利要求6的方法，其中含Si-(CH2)n-Si的前驱体选自由(EtO) 3Si-CH2CH2-Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si_CH2CH2_Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si-CH2CH2-Si (OEt)HMe、Me2(OEt)Si-CH2CH2-Si (0Et)2H、(EtO)Me2Si-CH2CH2Si (0Me)2H、Me2 (OEt)Si-CH2CH2-Si (OEt) HMe、(OEt)3Si-CH2CH2-Si (OEt) HMe、(EtO)3Si-CH2CH2-Si (OMe)HMe、Me (OMe)2Si-CH2CH2-S i (OMe)2H、Me (OMe)2Si-CH2CH2-Si (OMe)HMe、Me2 (OMe) Si-CH2CH2Si (OMe) 2H 和 Me2(OEt)Si-CH2CH2-Si(OMe)HMe 组成的组，优选 Me(OEt)2Si-CH2CH2-Si (OEt)2H, Me2(OEt)Si-CH2CH2-Si (OEt)2H 和Me (OEt) 2Si-CH2CH2-Si (OEt) HMe。
9.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中Rl至R3中仅一个为H。
10.根据权利要求9的方法，其中含Si-(CH2)n-Si的前驱体选自由MeH(OMe)Si-CH2-Si (OMe) HMe、(EtO)2HSi-CH2-Si(OEt)2H' (EtO)HMeSi-CH2-Si (OEt)HMe 和(iPrO)HMeSi-CH2-Si (OiPr) HMe 组成的组。
11.根据权利要求6的方法，其中SiCOH膜具有低于以下两者的介电常数(1)由含Si-(CH2)n-Si的前驱体和致孔剂形成的SiCOH膜的介电常数；和(2)由含乙烯基的前驱体和致孔剂形成的SiCOH膜的介电常数。
12.根据权利要求1-11中任一项的方法形成的膜。
13.根据权利要求12的膜，其中所述膜具有在约2.0至约2. 7、优选约2. 0至约2. 5的范围内的介电常数，及在约4GPa至约lOGPa、优选约5GPa至约IOGPa的范围内的杨氏模量。
全文摘要
公开了适于沉积具有适于后代介电膜的介电常数和杨氏模量的SiCOH膜的前驱体。
文档编号C23C16/30GK102762763SQ201180010066
公开日2012年10月31日 申请日期2011年2月17日 优先权日2010年2月17日
发明者C·安德森, C·迪萨拉, F·多尼亚, J·J·F·麦克安德鲁 申请人:乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司