技术编号:33252416
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有掩埋式栅极结构的半导体器件.相关申请的交叉引用.本申请要求年月日提交的申请号为--的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。技术领域.本发明涉及一种半导体器件,并且更具体地,涉及一种包括掩埋式栅极结构的半导体器件。背景技术.为了高的晶体管性能,金属栅电极被应用。特别是在掩埋式栅极型晶体管中,高的晶体管性能需要阈值电压控制。此外,栅致漏极泄漏(gidl)特性对掩埋式栅极型晶体管的性能有巨大影响。发明内容.本发明的各种实施例提供了一种具有...
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