技术编号:3325760
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石墨烯制备的,尤其涉及一种晶畴可控的常压化学气相沉积石墨烯薄膜的分步制备方法。包括以下步骤1)清洗金属基底铜箔;2)金属基底铜箔进行退火处理;3)在退火处理后的铜箔上进行石墨烯成核形成石墨烯晶畴;4)再将石墨烯成核后的铜箔进行惰化;5)将惰化后的铜箔回炉进行生长,石墨烯晶畴生长成石墨烯薄膜;6)冷却石墨烯薄膜,完成石墨烯薄膜的制备。本发明的有益效果是步骤简单、操作方便,通过调节石墨烯在成核阶段的气体碳源流量控制石墨烯晶畴的密度、大小和层数,控制简...
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