技术编号：33294535
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。高迁移率的sic mosfet器件及其制作方法技术领域.本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种高迁移率的sic mosfet器件及其制作方法。背景技术.随着信息技术及能源、交通、国防的迅猛发展，对半导体器件的性能要求越来越高，第三代半导体材料碳化硅（sic）成为了半导体材料发展的关注焦点。与一代半导体材料硅（si）、锗（ge）和二代半导体材料砷化镓（gaas）、磷化铟（inp）相比，sic 在禁带宽度、临界击穿场强、饱和电子漂移速度和热导率等方面都有着显而易见的优势，这些优势使得sic ...
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