技术编号：33318668
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种三维芯片的制备方法及三维芯片。背景技术.当前，芯片晶体管尺寸已接近物理极限，芯片性能的提升更多的依赖于三维集成技术的发展。细间距、高密度的三维集成电路dic可提高芯片整体性能和空间利用率，并降低芯片制造成本。.现有技术中，一般是将逻辑芯片和存储芯片进行混合键合工艺处理，并堆叠形成金属连接形成dic。但是芯片之间的热量不能得到有效的传输，同时单个的混合键合部hybrid bonding部承受的应力过大，易造成hybrid bonding部对应的介...
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