技术编号：33402251
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种mems级晶圆的低温熔融键合方法技术领域.本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种mems级晶圆的低温熔融键合方法。背景技术.随着半导体加工工艺的发展，晶圆级键合技术作为一种新的工艺方法，通过化学和物理作用可以将硅晶圆与硅晶圆、硅晶圆与玻璃晶圆或其他不同材料紧密地结合在一起，形成具有三维立体结构层次的微型器件。用于mems器件领域的键合技术主要包括：熔融键合、阳极键合、粘接剂键合和共晶键合。.其中熔融键合技术因其独有的可应用于同种材料间的键合，避免了不同材料之间因热膨胀系数不一致，m...
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