技术编号:3348300
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在制备半导体器件的工艺中使用的抛光液。 背景技术近年来,在半导体器件如半导体集成电路(下文中,称作"Lsr)的发展 中,为了使这样的器件小型化并提高它们的速度,己经通过降低布线的厚 度以及形成多层布线来寻求提高的密度和集成度。而且,为了实现这种目的,已经采用了各种技术,如化学机械抛光(下文中称作"CMP")等。对于加工层如夹层绝缘膜的表面平坦化、对于插头的形成、对于埋入金属布线的形成等,CMP是必要的技术,并且CMP进行衬底的平滑和从布线形成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。