技术编号：3348454
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及稳定环四硅氧院以防止其聚合的方法，本发明还涉及环四硅氧 烷的组合物，所述组合物被稳定化以防止聚合。 背景技术二氧化硅膜被应用于制造半导体设备的集成电路(IC)己有一段时 间。剤艮多关于制备此类Si02薄膜的公开和专利文献。如，Schumache虔团Air Products and Chemicals公司的出版物，例如用于下列使用手册采用TEOS的玻 璃沉积，和Extrema⑧TEOS(四乙基原硅酸盐)产品数据表。又如，Modeling of Lo...
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