技术编号:3348677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及有机金属化合物领域。特别涉及用于薄膜的化学气相沉积 或原子层沉积的有机金属化合物领域。背景技术在原子层沉积("ALD")方法中,将表面暴露到两种或两种以上化学反应物 的交替蒸气中以沉积保角薄膜。将第一前体(也被称作有机金属化合物、原材 料或反应物)的蒸气引到需要在其上形成所需薄膜的表面上。然后将未反应的 蒸气在真空下从系统中除去。接着将第二前体的蒸气引到表面使其与第一前体 反应,过量的第二前体的蒸气被除去。在ALD方法中一般每一步沉积所需膜 ...
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