技术编号:33492809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。背景技术.随着动态随机存取存储器(dynamic random access memory,简称dram)向小型化发展,为了进一步提高集成电路(integrated circuit,ic)的集成度,通过在多个芯粒上分别形成出垂直互连的硅穿孔结构(through siliconvia,tsv),并通过后续重布线(redistribution layer,简称rdl)来实现不同芯粒之间的电互连,以将多个芯粒堆叠。.堆叠芯...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。