技术编号：33505812
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明的实施方式涉及刻蚀方法。背景技术.作为在半导体晶片上形成孔或沟的方法，已知有刻蚀。作为刻蚀的方法方法，已知macetch(metal-assisted chemical etching，金属辅助化学蚀刻)法。macetch法是例如使用贵金属作为催化剂、对半导体基板进行刻蚀的方法。由于在半导体晶片上设置长宽比高的沟槽，因此当将半导体晶片长时间浸渍于macetch液中时，在沟槽上端的壁面上发生微细的穴状的加工问题。结果，可能发生因强度降低导致的沟槽的坍塌或在沟槽上难以形成介电薄膜等问题。...
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