技术编号:3351058
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种等离子体产生装置,更具体地说,是一种为了表面处理 和形成薄膜而在所期望的位置上均匀地混合源气体和活性气体以提高等离子 体沉积效率的等离子体产生装置。背景技术图l是示出传统的等离子体产生装置的剖视图,图2是用于说明图l所 示的导管和下板结构之间的关系的放大的剖视图。参考图1和图2,传统的等离子体产生装置包括等离子体产生单元10、 活性气体供应单元30、源气体供应单元40和喷头50,其中上述单元都装在 支持单元20上。在等离子体产生单元IO和喷头...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。