专利名称：等离子体产生装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体产生装置，更具体地说，是一种为了表面处理 和形成薄膜而在所期望的位置上均匀地混合源气体和活性气体以提高等离子 体沉积效率的等离子体产生装置。
背景技术：
图l是示出传统的等离子体产生装置的剖视图，图2是用于说明图l所 示的导管和下板结构之间的关系的放大的剖视图。
参考图1和图2,传统的等离子体产生装置包括等离子体产生单元10、 活性气体供应单元30、源气体供应单元40和喷头50，其中上述单元都装在 支持单元20上。在等离子体产生单元IO和喷头50之间形成用于产生等离子 体的等离子体室，在等离子体室内产生的等离子体通过形成在喷头50的多个 活性气体喷射口 63可以向喷头50下面移动。活性气体的等离子体经过喷头 50时被转换为离子或原子团(radical)等状态，上述离子或原子团在喷头50 的导管60的下端可以向下喷射。
在喷头50的下面具有处理空间，在上述处理空间中对处理物进行等离子 体加工，例如形成薄膜、清洗(cleanse)等。等离子体产生装置和其处理空间一 般保持真空状态，处理物可以装在加热器(未示出)上。
如图1所示，等离子体产生单元10由上面等离子体板12和下面等离子 体板14构成，并可以由上述上面等离子体板12和下面等离子体板14形成活 性气体供应单元30的流动管路和源气体供应单元40的流动管路。通过活性 气体供应单元30被供应的活性气体在经过安装在等离子体产生单元10下面 的等离子体产生电极18时被转换为等离子体，其中，上述等离子体产生电极 18包括多个孔，因而活性气体可以有效地通过。
在传统的等离子体产生装置中，喷头50包括上板结构60和下板结构70, 其中，在上述上板结构60上形成提供活性气体喷射口 63的导管62,在上述 下板结构70上形成源气体喷射口 74。通过活性气体喷射口 63的活性气体离子或原子团可以与通过源气体喷射口 74的源气体反应，通过上述反应可以在 处理物上形成薄膜。
因为按照装置的结构，源气体供应单元40的流动管路与喷头50的周围 或外周连接，所以源气体不是从喷头50的中心而是从喷头50的周围流入， 因此在周围喷射的源气体比在中心喷射的源气体更多。其结果是在传统的等 离子体产生装置的中心被供应较少的源气体而容易在处理物中心形成不良薄 膜，即使能够形成薄膜，薄膜的厚度也可能会太小。
除此之外，传统的喷头50的源气体喷射口 74安装在比活性气体喷射口 63略高的位置。因为一般通过源气体喷射口 74被供应的源气体量比通过导 管62供应的活性气体量少，因此源气体的供应可能被活性气体干扰，其结果 是导致源气体难以到达处理物。
如上所述，如果源气体不能正常到达处理物，则会导致处理物上形成的 薄膜太薄，或者即使形成薄膜也会显著降低薄膜的质量。
另外，现有技术的其他问题在图2中示出。
如图2所示，喷头50中的导管62和下板结构70之间会存在微隙G,通 过上述微隙G源气体会流出，与此相反活性气体会往喷头50的内部流入。 如果源气体通过微隙G流出，源气体可能会在导管62的下端与活性气体反 应，从而在到达处理物之前就已经结束反应。并且，如果活性气体通过微隙 G流入，则可能会在喷头50内部引起反应。
因此，在传统的等离子体产生装置中会浪费源气体或活性气体，而且会 引起薄膜质量的恶化。
发明内容
因此，本发明被提出来用以解决现有技术中存在的上述问题，并且本发 明的目的是提供一种能均匀分配通过喷头供应的源气体且进一步能按照期望 调整源气体分配的等离子体产生装置。
被有效用于对处理物进行处理的等离子体产生装置。
本发明可以提供通过调整活性气体和源气体的喷射口来高效混合活性气 体和源气体的等离子体产生装置。
本发明可以提供有效地阻止源气体和活性气体之间的提前反应的多种方法。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种等离子体产生 装置，上述等离子体产生装置包括等离子体产生单元、喷头、活性气体供应 单元和源气体供应单元，上述源气体和活性气体在期望的位置上混合。喷头 配置在上述等离子体产生单元的下面，上述喷头与上述等离子体产生单元一 起形成等离子体室，且包括上板结构和下板结构，由上述上板结构和下板结 构上下结合而提供用于供应源气体的源气体流动空间。尤其是上述上板结构 和下板结构中的一个包括多个导管，并进一步包括用来阻断上述导管与上述 上板结构和下板结构中的另 一个之间的间隙的阻断部。
上述导管一般形成在上板结构上，上述阻断部与下板结构一起形成一个 整体或者单独地形成，以阻断下板结构的贯穿孔和导管之间的间隙，在另外
一个实施例中导管形成在下板结构上，且上述阻断部与上板结构一起形成一 个整体或者单独地形成，以阻断上板结构的贯穿孔和导管之间的间隙。
本发明可以包括夹在上述上板结构和下板结构之间的分隔板，其中上述 分隔板上下分割源气体流动空间，并包括与期待的源气体分布相对应形成的 引导孔。
上述阻断部可以与上板结构或下板结构形成一个整体，或者单独地形成 后安装在导管上，以防止源气体和活性气体在处理物上面之外的其他不期望 的区域预先反应。
上述导管的下端位于比源气体喷射口略高的位置。
为了实现上述目的，根据本发明的另外一个方面，提供了一种等离子体
产生装置，该装置包括等离子体产生单元；配置在上述等离子体产生单元 下面的喷头，上述喷头与上述等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包 括上板结构和下板结构，上述上板结构包括向下形成的多个导管，上述下板 结构包括形成在比上述导管下端略低的位置的多个源气体喷射口，由上述上 板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，其中下板结构包 括下板阻断壁，上述阻断壁围绕上述导管的一部分外表面而在除了上述源气 体喷射口之外的部分阻断上述源气体流动空间；活性气体供应单元，上述活 性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，上 述源气体供应单元向在上述喷头内的源气体流动空间供应源气体。
上述等离子体产生装置进一步包括分隔板，其中上述分隔板夹在上述上板结构和下板结构之间而上下分割上述源气体流动空间，并包括与期待的源 气体分布相对应形成的引导孔。
为了实现上述目的，根据本发明的另外一个方面，提供了一种等离子体
产生装置，该装置包括等离子体产生单元；配置在上述等离子体产生单元 下面的喷头，上述喷头与上述等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包 括上板结构和下板结构，上述上板结构包括向下形成的多个导管，上述下板 结构包括多个源气体喷射口 ，由上述上板结构和下板结构形成用于供应源气 体的源气体流动空间，其中下板结构包括阻断壁，上述阻断壁围绕上述导管 的外表面；夹在上述上板结构和下板结构之间的分隔板，上述分隔板上下分 割上述源气体流动空间，并包括与期待的源气体分布相对应形成的引导孔； 活性气体供应单元，上述活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气 体；和源气体供应单元，上述源气体供应单元向位于上述喷头内的源气体流 动空间供应源气体。
其中，上述导管的下端位于比上述源气体喷射口略高的位置。
图1是示出传统的等离子体产生装置的剖视图2是用于说明图1所示的导管和下板结构之间的关系的放大的剖视图； 图3是示出根据本发明的一个示例性实施例的等离子体产生装置的剖视
图4是切开图3中喷头的一部分的分解立体图5是示出根据本发明的另 一个示例性实施例的等离子体产生装置的剖
视图6是示出根据本发明的另 一个示例性实施例的等离子体产生装置的剖
视图7是切开图6中喷头的一部分的分解立体图8是示出根据本发明的另 一 个示例性实施例的等离子体产生装置的剖
视图9是切开图8中喷头的一部分的分解立体图10是示出才艮据本发明的另一个示例性实施例的等离子体产生装置的 剖视图；图11是示出根据本发明的另一个示例性实施例的等离子体产生装置的 剖视图12是切开图11中喷头的一部分的分解立体图； 图13是示出根据本发明的另一个示例性实施例的等离子体产生装置的 剖视图14是切开图13中喷头的一部分的分解立体图。
具体实施方式
本发明特定示例性实施例将结合附图进行详细的说明。
用来进行说明解释的，其可以转换或修改成为不同的形式。
图3是示出根据本发明的一个示例性实施例的等离子体产生装置的剖视 图，且图4是切开图3中喷头的一部分的分解立体图。
参考图3和图4,等离子体产生装置100包括等离子体产生单元110、喷 头150、阻断壁178、活性气体供应单元130和源气体供应单元140。喷头150 和等离子体产生单元110安装在支持单元120上，支持单元120在其中央形 成孔，由等离子体产生单元110产生的等离子体等通过该孔可以被送到处理 物。
等离子体产生单元110包括上面等离子体板112 (upper plasma plate )、 下面等离子体板114(1ower plasma plate)和隔板116(space plate)。上面等离子 体板112和下面等离子体板114上下安装，且在上面等离子体板112和下面 等离子体板114中形成孔或槽，以形成活性气体供应单元130和源气体供应 单元140的气体流路。
等离子体产生单元no包括等离子体产生电极118,等离子体产生电极 118配置在下面等离子体板114的下面。活性气体从活性气体供应单元130 被供应到等离子体产生电极118的上面，在等离子体产生电极118上形成多 个孔使活性气体通过，以向等离子体室提供活性气体。等离子体产生单元110 可以按照感应耦合等离子体(ICP: Inductive Coupled Plasma)或电容耦合等离 子体(CCP: Capacitive Coupling Plasma )的方法产生等离子体，比如说可以将 RF电源提供给等离子体产生电极118。
在下面等离子体板114的下面设置隔板116,隔板116使下面等离子体板114和喷头150之间保持一定的距离，以提供用于产生等离子体的空间， 即等离子体室。并且，隔板116是绝缘部件，可用来实现等离子体产生单元 110和喷头150的电隔离。为此，利用绝缘材料形成隔板116，或者在隔板116 外面形成绝缘涂层使其具有绝缘的特性。
如图所示，在隔板116上可以形成作为源气体供应单元140的气体流路， 通过隔板116，源气体供应单元140可以与喷头150的周围连接。
喷头150包括上板结构160和下板结构170。上板结构160形成为圓盘 形或其他板形，并包括往下凸出的导管162。导管162沿上下方向被贯穿， 以提供活性气体的喷射口 163。等离子体可以通过活性气体喷射口 163被传 送到喷头150的下部，在传送的过程中，等离子体可以转换为离子或原子团。 下板结构170安装在上板结构160的下面，并包括与导管162相对应的下板 贯穿孔172和源气体喷射口 174。导管162的下端通过下板贯穿孔172从喷 头150的下面露出，源气体喷射口 174形成在下板贯穿孔172的周围，即导 管162的周围，从而可以喷射源气体。
尤其是，在下板贯穿孔172的周围向上形成阻断壁178。阻断壁178与 导管162的形状相对应呈圓筒形，阻断壁178的内表面几乎等于导管162外 表面或微大于导管162外表面，以与导管162外表面相接触。阻断壁178将 源气体流动空间与外部完全隔离，可以防止气体通过导管162和下板贯穿孔 172之间的间隙流入流出。
如图所示，如果源气体被源气体供应单元140供应到喷头150内部，源 气体可以通过在下板结构170的底部形成的源气体喷射口 174被喷射。喷射 的源气体与活性气体的离子一起在处理物上形成薄膜。源气体喷射口 174形 成在下板贯穿孔172之间或阻断壁178之间，其数量和大小按照设计人的意 图可以进行多种多样的选择。
参考图4,沿着喷头150的外周以相同的间隔连接源气体供应单元140,
的外周被供应到喷头150内部，从周围供应的源气体暂时留在源气体流动空 间，然后通过源气体喷射口 174往下板结构170的下面被喷射。
图5是示出根据本发明的另一个示例性实施例的等离子体产生装置的剖 视图。
在下述的实施例中，除喷头以外的构成要素与图3和图4中的构成要素相同，而利用相同的附图标号表示相同的构成要素，并省略对其的重复说明。
参考图5,等离子体产生装置100包括等离子体产生单元110、喷头250、 阻断环278、活性气体供应单元130和源气体供应单元140。喷头250和等离 子体产生单元no安装在支持单元120上，支持单元120在其中央形成孔， 由等离子体产生单元IIO形成的等离子体通过该孔可以被传送到处理物处。
等离子体产生单元110包括上面等离子体板112、下面等离子体板114 和隔板116,其中，上面等离子体板112和下面等离子体板114上下配置。上 面等离子体板112和下面等离子体板114上形成孔或槽，用来形成活性气体 供应单元130和源气体供应单元140的气体流路。等离子体产生单元110包 括等离子体产生电极118,等离子体产生电极118被供应活性气体而形成等离 子体。
根据本实施例，喷头250包括上板结构160和下板结构270。
与下板贯穿孔272相邻地在导管162的周围设置阻断环278。最好利用 与活性气体和源气体不发生反应的材料制成阻断环278,该阻断环278安装 在导管162的外部而防止活性气体离子或原子团流入到喷头250里，并且防 止源气体通过导管162和下板贯穿孔272之间的间隙流出。即，阻断环278 可以防止活性气体和源气体在并不期望的区域预先反应。除此之外，阻断环 不局限于环形，也可以形成为其他形状，并且利用与导管一体形成的凸起部 也可以发挥阻断部的作用。
图6是示出才艮据本发明的另一个示例性实施例的等离子体产生装置的剖 视图，图7是切开图6中喷头的一部分的分解立体图。
在下述的实施例中，除喷头以外的构成要素与上述实施例的构成要素相 同，而利用相同的附图标号表示相同的构成要素，并省略对其的重复说明。
参考图6和图7,等离子体产生装置100包括等离子体产生单元110、喷 头350、分隔板380、活性气体供应单元130和源气体供应单元140。喷头350 包括上一反结构160、下纟反结构370和分隔+反380。
如果源气体纟皮源气体供应单元140供应到喷头350里，则源气体可以经 分隔板380通过喷射口 374被喷射。
分隔板380夹在上板结构160和下板结构370之间。分隔板380将在上 板结构160和下板结构370之间形成的源气体流动空间上下分割，调整源气 体使其只能通过指定的通道即引导孔386流通。设计人可以选择引导孔386的位置，为了均匀分配源气体或者满足其它目的可以改变其位置，例如在集
中供应源气体时也可以增加引导孔386的位置和数量。在本发明的实施例中 引导孔386主要形成在喷头350的中心，所以源气体在流动空间里优先往中 心移动。其结果，可以克服在处理物中心形成的薄膜比较薄的现象。
参考图7，将从源气体供应单元140提供的源气体通过上板结构160的 外周供应给喷头350内部，从周围被供应的源气体为了经过形成在分隔板380 中心的引导孔386往中心积聚。通过引导孔386被供应的源气体在分隔板380 的下面被均匀地供应，通过下板结构370的源气体喷射口 374源气体被均匀 分配。
在分隔板380上形成用来使导管162通过的中间贯穿孔382，导管162 通过中间贯穿孔382和下板贯穿孔372从喷头350的下面露出。按照设计人 的意图，可以调整露出的导管362的高度。
图8是示出根据本发明的另 一个示例性实施例的等离子体产生装置的剖 视图，图9是切开图8中喷头的一部分的分解立体图。
在下述的实施例中，除喷头以外的构成要素与上述实施例的构成要素相 同，而利用相同的附图标号表示相同的构成要素，并省略对其的重复说明。
参考图8和图9,等离子体产生装置100包括等离子体产生单元110、喷 头450、分隔板480、活性气体供应单元130和源气体供应单元140。喷头450 和等离子体产生单元110安装在支持单元120上，支持单元120在其中央形 成孔，由等离子体产生单元IIO产生的等离子体通过该孔可以被送到处理物。
喷头450包括上板结构160、下板结构470和分隔板480。
如图所示，如果源气体被源气体供应单元140供应到喷头450内部，则 源气体可以经过分隔4反480，然后通过源气体喷射口 474被喷射。因为分隔 板480夹在上板结构160和下板结构470之间，源气体只能通过引导孔486 往下^1结构470移动，所以可以将源气体优先供应l^下^l结构470的中心部。
下板结构470的源气体喷射口 474均匀地喷射源气体，所以在处理物上形成 的薄膜具有均匀的厚度。
在分隔板480上形成用来使导管162通过的中间贯穿孔482,在中间贯 穿孔482的周围可以形成用来围绕导管162外围的中间阻断壁488。导管162 通过中间阻断壁488和下板阻断壁478可以从喷头450的下面露出。中间阻断壁488可以防止出现源气体通过分隔板480和导管162之间的间隙传送到 下板结构470的现象。
图10是示出根据本发明的另一个示例性实施例的等离子体产生装置的
剖视图。
在下述的实施例中，除喷头以外的构成要素与上述实施例的构成要素相 同，利用相同的附图标号表示相同的构成要素，并省略对其的重复说明。
参考图IO，等离子体产生装置100包括等离子体产生单元110、喷头550、 活性气体供应单元130和源气体供应单元140。
喷头550包括导管162、源气体流动空间552和源气体喷射口 574。导管 162沿上下方向被贯穿，以提供活性气体喷射口 163。通过活性气体喷射口 163,等离子体被传送到喷头550的下面，在传送的过程中，等离子体可以转 换为离子或原子团。在导管162的下面提供喷嘴空间164，由导管162的内 部空间和喷嘴空间164提供活性气体喷射口 163。
导管162的下端位于比源气体喷射口 574略高的位置。因此，源气体与 活性气体相比，在略低的位置开始喷射，即使源气体供应量较少也不会被活 性气体妨碍而影响其行进，因此可以有效地到达处理物。
如果源气体^皮源气体供应单元140供应到喷头550内部，则源气体通过 在源气体流动空间552的底部形成的源气体喷射口 574被喷射。喷射的源气 体与活性气体离子一起在处理物上形成薄膜。
图11是示出根据本发明的另一个示例性实施例的等离子体产生装置的 剖视图，图12是切开图11中喷头的一部分的分解立体图。
在下述的实施例中，除喷头以外的构成要素与上述实施例的构成要素相 同，利用相同的附图标号表示相同的构成要素，并省略对其的重复说明。
参考图11和图12，等离子体产生装置100包括等离子体产生单元110、 喷头650、活性气体供应单元130和源气体供应单元140。喷头650和等离子 体产生单元110安装在支持单元120上。
喷头650包4舌上^反结构160和下纟反结构670。
在下板结构670中，源气体喷射口 674位于比导管162下端略低的位置。 所以从源气体喷射口 674喷射的源气体与活性气体相比在略低的位置上开始 喷射，即使源气体供应量较少也不会被活性气体妨碍而影响其行进，因此可 以有效地到达处理物。并且，下板阻断壁678的内径比导管162的内径更大，所以在下板贯穿 孔的周围，即导管162的下面可以形成比较大的喷嘴空间164。下板阻断壁 678与导管162的形状相对应呈圆筒形，下板阻断壁678的内表面的尺寸几 乎等于或微大于导管162外表面，以与导管162外表面接触。尤其是下板阻 断壁678围绕导管162外表面和导管162下部的空间，所以可以阻断喷头650 内部的源气体流动空间652。阻断壁678可以防止通过活性气体喷射口 163 喷射的活性气体离子和原子团流入到喷头650内部，并防止活性气体和源气 体在不期望的区域预先反应。
其中，阻断壁678不只局限于将源气体流动空间与外部隔离的用途，还 可成为可以让源气体喷射口 674位于比导管162的下端略低的位置的结构。 为了使源气体喷射口 674位于比导管162的下端略低的位置，下板阻断壁678 形成为比导管162更长的形态，从而在被安装的同时使上板结构160和下板 结构670以 一定距离相互隔离。
在本实施例中，导管形成在上板结构上，根据情况导管可以形成在下板 结构上，并在上板结构上形成贯穿孔。此时，导管的下端和源气体喷射口之 间可以形成一定的高度差，以在导管下端的下面形成喷嘴空间。图13是示出根据本发明的另一个示例性实施例的等离子体产生装置的 剖视图，图14是切开图13中喷头的一部分的分解立体图。
在下述的实施例中，除喷头以外的构成要素与上述实施例的构成要素相 同，利用相同的附图标号表示相同的构成要素，并省略对其的重复说明。
参考图13和图14，等离子体产生装置100包括等离子体产生单元110、 喷头750、分隔板780、活性气体供应单元130和源气体供应单元140。
喷头750包括上4反结构160和下板结构770。
在下板结构770中源气体喷射口 774位于比导管162的下端略低的位置。 所以，源气体与活性气体相比在略低的位置开始喷射，即使源气体供应量较 少也不会被活性气体妨碍而影响其行进，因此可以有效地到达处理物。其结 果是没有源气体的浪费，可以获得优质的薄膜，而且防止因源气体消尽而引 起的薄膜质量恶化。
下板阻断壁778的内径比导管162的内径大，所以在下一反贯穿孔的周围， 即导管162的下面可以形成比较大的喷嘴空间164。喷嘴空间可以呈向下扩 张的形状，具体地讲，可以形成为喇口八形或阶梯式扩张的圆筒形等形状。性气体从导管162喷射之后，通过喷嘴空间164可以喷射到较宽的区域，从 而可以与源气体有效地混合。
下板阻断壁778与导管162的形状相对应呈圓筒形，下板阻断壁778的 内表面尺寸几乎等于或微大于导管162外表面，以与导管162外表面相接触。 尤其是下板阻断壁778围绕导管162外表面和导管162下部的空间，所以可 以阻断喷头750内部的源气体流动空间752。阻断壁778可以防止通过活性 气体喷射口 163喷射的活性气体离子和原子团流入到喷头750内部，并防止 活性气体和源气体在不期望的区域预先反应。
如图所示，如果源气体被源气体供应单元140供应到喷头750内部，源 气体可以经过分隔板780后通过源气体喷射口 774被喷射。因为源气体喷射 口 774夹在上板结构160和下板结构770之间，源气体只能通过引导孔786 往下板结构770移动，所以可以将源气体优先供应给下板结构770的中心部。
下板结构770的源气体喷射口 774均匀地喷射源气体，所以在处理物上形成 的薄膜具有均匀的厚度。
在分隔板780上形成用来使导管162通过的中间贯穿孔，在中间贯穿孔 的周围可以形成用来围绕导管162周围的中间阻断壁788。导管162通过中 间阻断壁788和下板阻断壁778可以从喷头750的下面露出。中间阻断壁788 可以防止出现源气体通过分隔板780和导管162之间的间隙传送到下板结构 770的现象。
本发明的等离子体产生装置可以均匀分配通过喷头供应的源气体，进而 能按照期望调整源气体分配。
本发明的等离子体产生装置可以使通过喷头供应的源气体和活性气体只 在处理物上进行反应，防止在不期望的区域上进行反应，即防止在导管的出 口或喷头内部等处发生反应。所以可以预防源气体的浪费，以提高等离子体 处理的质量。
本发明的等离子体产生装置通过调整阻断结构的高度可以调整源气体和 活性气体喷射口之间的高度差，以获得有效利用活性气体和源气体并使两者
反应的最佳条件。
尽管已经参照其特定示例性实施例显示和描述了本发明，但是本领域的 技术人员应该理解，在不脱离由权利要求定义的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。因此，本领域的技术人员在本 发明的范围内可以基于本发明的原理进行各种变化和修改。
权利要求
1. 一种等离子体产生装置，其特征在于包括等离子体产生单元；配置在上述等离子体产生单元下面的喷头，上述喷头与上述等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构，由上述上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，且上述上板结构和下板结构中的一个具有沿上下方向被贯穿而形成活性气体喷射口的多个导管；活性气体供应单元，上述活性气体供应单元向上述等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，上述源气体供应单元向在上述喷头内部的上述源气体流动空间供应源气体；上述源气体和活性气体在期望的位置上相混合。
2. 如权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于进一步包括阻断 部，上述阻断部阻断上述上板结构和下板结构中的另一个与上述导管之间的间隙。
3. 如权利要求2所述的等离子体产生装置，其特征在于上述上板结构和 下板结构中的另一个包括贯穿孔，上述贯穿孔用于露出上述导管，上述阻断 部配置在上述导管周围而阻断上述导管和贯穿孔之间的间隙。
4. 如权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于进一步包括分隔 板，其中上述分隔板夹在上述上板结构和下板结构之间而上下分割上述源气 体流动空间，并包括与期待的源气体分布相对应形成的引导孔。
5. 如权利要求4所述的等离子体产生装置，其特征在于上述喷头的下板 结构包括向下露出上述导管的下板贯穿孔，上述下板贯穿孔被形成为具有与 上述导管的外表面接触的大小。
6. 如权利要求4所述的等离子体产生装置，其特征在于上述分隔板包括 与上述导管相对应的中间贯穿孔，上述中间贯穿孔被形成为具有与上述导管 的外表面接触的大小。
7. 如权利要求6所述的等离子体产生装置，其特征在于上述分隔板包括 在上述分隔板上面形成的中间阻断壁，其中上述中间阻断壁在与所述中间贯穿孔相对应的区域上形成，用来覆盖上述导管的外面。
8. 如权利要求2所述的等离子体产生装置，其特征在于所述上板结构、 所述下板结构及所述阻断部形成为一体。
9. 如权利要求1或8所述的等离子体产生装置，其特征在于上述导管的 下端位于比上述源气体喷射口略高的位置。
10. 如权利要求9所述的等离子体产生装置，其特征在于进一步包括形 成在上述导管下面的用于扩散活性气体的喷嘴空间，其中上述喷嘴空间形成 在上述活性气体喷射口的下面。
11. 如权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于上述等离子体 产生单元包括在其下面安装的等离子体产生电极，其中上述等离子体产生电 极包括多个孔，上述活性气体供应单元向上述等离子体产生电极的上面供应 活性气体。
12. —种等离子体产生装置，其特征在于包括 等离子体产生单元；配置在上述等离子体产生单元下面的喷头，上述喷头与上述等离子体产 生单元一起形成等离子体室，且包括上板结构和下板结构，上述上板结构包 括向下形成的多个导管，上述下板结构包括形成在比上述导管下端略低的位 置的多个源气体喷射口 ，由上述上板结构和下板结构形成用于供应源气体的 源气体流动空间，其中下板结构包括下板阻断壁，上述下板阻断壁围绕上述 导管的一部分外表面而在除了上述源气体喷射口之外的部分阻断上述源气体流动空间；活性气体供应单元，上述活性气体供应单元向上述等离子体产生单元供 应活性气体；和动空间供应源气体。 '
13. 如权利要求12所述的等离子体产生装置，其特征在于进一步包括分 隔板，其中上述分隔板夹在上述上板结构和下板结构之间而上下分割上述源 气体流动空间，并包括与期待的源气体分布相对应形成的引导孔。
14. 一种等离子体产生装置，其特征在于包括 等离子体产生单元；配置在上述等离子体产生单元下面的喷头，上述喷头与上述等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上板结构和下板结构，上述上板结构包 括向下形成的多个导管，上述下板结构包括多个源气体喷射口，由上述上板 结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，其中下板结构包括阻断壁，上述阻断壁围绕上述导管的外表面；夹在上述上板结构和下板结构之间的分隔板，上述分隔板上下分割上述 活性气体供应单元，上述活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，上述源气体供应单元向位于上述喷头内的源气体流动 空间供应源气体。
15.如权利要求14所述的等离子体产生装置，其特征在于上述导管的下 端位于比上述源气体喷射口略高的位置。
全文摘要
本发明公开了一种等离子体产生装置，其可以在所期望的位置混合源气体和活性气体。上述等离子体产生装置包括等离子体产生单元；配置在等离子体产生单元下面的喷头，喷头与等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构，由上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，且上板结构和下板结构中的一个具有被上下贯穿的多个导管；活性气体供应单元，该活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，该源气体供应单元向喷头内部的源气体流动空间供应源气体。由此，可以在所期望的位置上顺利混合源气体和活性气体以提高等离子体的沉积效率。
文档编号C23C16/50GK101298668SQ20081009608
公开日2008年11月5日 申请日期2008年4月30日 优先权日2007年4月30日
发明者成明恩, 田英洙, 申寅澈, 金京俊, 金炯一 申请人:K.C.科技股份有限公司