技术编号：3351099
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用金属有机物化学汽相外延(MOCVD)生长技术通过衬底晶面选择 方法控制生长非极性GaN的方法，尤其是利用M0CVD技术在R面蓝宝石衬底材料上生 长非极性面GaN薄膜材料的方法。该方法生长的非极性GaN薄膜材料可用于发光二极 管、激光器、太阳能电池等领域。在其上依据不同的器件应用生长不同的外延结构， 如发光二极管、激光器、太阳能电池等。本发明可有效地控制非极性a面GaN材料的 生长，可提高器件的量子效率及发光效率。背景技术尽管氮化镓基发光器件...
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