技术编号：3353011
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电材料新能源，涉及用作薄膜太阳电池光吸收层的一种化 合物半导体薄膜的生长方法。背景技术发展太阳电池是解决日益恶化的能源危机和环境污染的有效途径。各类太阳电池 中，CuIn1^xGaxSe2(CIGS)薄膜太阳电池以其优良的光伏特性被认为是最重要和最具发展前 景的太阳电池之一。然而，CuIn1^xGaxSe2化合物中的In、Ga和Se是稀散金属，价格昂贵且 储量有限。因此，探寻含高丰度元素和低成本的光吸收层薄膜材料来替代CuIrvxGaxSe2已...
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