技术编号:3354097
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明方面涉及CVD(化学汽相淀积)装置和其净化方法,特别涉及可以缩短在进行了保养后的净化处理方面所需时间的CVD装置的结构和其净化方法。此外,本发明涉及使用腐蚀性气体例如在反应室内配置的硅基片上进行外延生长等时,监测处理中的腐蚀性气体所包含的水分的水分监视装置和备有该装置的半导体制造装置及半导体制造装置的保养时期判断方法。CVD装置是通过使导入反应室(反应器)内的半导体材料气体在基片(晶片)上进行化学反应,在晶片上生长半导体膜的装置。但是,由于在原理上不...
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