技术编号：33554550
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体封装技术领域，特别关于一种电磁屏蔽模组封装结构及其封装方法。背景技术.大功率射频芯片需要较高的线弧，而线弧周围有填充料时往往会影响射频性能，现有的大功率射频芯片通常采用空腔类封装设计来进行封装，通过在封装框架表面粘结盖子来形成空腔。.如图和图所示，现有的适用于大功率射频芯片的空腔封装结构包括：封装框架，形成于封装框架一侧的盖子，盖子和封装框架通过粘胶实现气密性连接，气密性连接后，盖子和封装框架之间形成一密闭空腔。.另外，封装框架在与盖子气密性...
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