技术编号:3360867
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及材料组合物、这些材料的制造方法及陶瓷体的制造方法,所述陶瓷体待用作P型透明导电膜的物理汽相沉积技术中的靶材。背景技术在过去的数十年中,在透明导电氧化物的开发中取得了显著的进步。对于η型透明导电氧化物,铟锡氧化物ITO具有迄今获得的最低电阻率,且在可见-近红外(NIR)光谱范围内,将 10_4 Ω cm的电阻率和高达80 90%的透明度结合。已经提议并将铝掺杂的氧化锌&ι0Α1用于大量应用中以作为ITO的替代物,但是其性能依然稍微低于ITO...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。