技术编号:3361757
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化合物半导体薄膜的制备方法,更确切地说涉及铜铟镓硒硫(CIGSS)薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,属于光伏材料新能源。背景技术铜铟镓硒(Cu(In, Ga)S^,简称CIGS)薄膜太阳电池是新一代最有前途的太阳电池,它具有成本低、效率高、寿命长、弱光性能好、抗辐射能力强等多方面的优点。自上世纪90年代以来,CIGS就一直是实验室转换效率最高的薄膜太阳电池。2008年,美国可再生能源实验室(NREL)又将其实验室最高转换效率刷新为19.9% (In...
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