技术编号:33624928
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种成膜方法、成膜装置以及结晶性氧化物膜及其应用。背景技术.作为能够实现高耐压、低损耗以及高耐热的下一代开关元件,使用带隙大的氧化镓(gao)的半导体装置受到瞩目,向反相器等电力用半导体装置的适用备受期待。而且,氧化镓由于其宽带隙,作为(light emitting diode,led)或传感器等的受光/发光装置的广泛应用也备受期待。尤其在氧化镓中,具有刚玉结构的α-gao等可通过将铟或铝分别或者组合起来设为混合晶体来控制带隙,构成作为inalgao系半导体而极富魅力的材...
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