结势垒二极管和肖特基二极管的形成以及MPS器件的制作方法技术资料下载

技术编号:33625068

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结势垒二极管和肖特基二极管的形成以及mps器件技术领域.本公开涉及制造mps(合并式pin肖特基)器件的方法以及mps器件。具体地,将讨论基于sic的器件。背景技术.众所周知,具有宽带隙(特别是带隙的能量值eg大于.ev)、低通态电阻(ron)、高热导率值、高操作频率和电荷载流子的高饱和速度的半导体材料非常适合生产诸如(尤其是用于电源应用的)二极管或晶体管的电子部件。具有所述特性并且被设计为用于制造电子部件的材料是碳化硅(sic)。具体地,就前面列出的性质而言,碳化硅的不同多型(例如,...
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