技术编号:3362914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体薄膜沉积设备,尤指一种新的垂直喷淋式MOCVD反应器及其喷淋头和衬底托结构。目的是通过控制气体在反应器内的流动路径,使基片上方的气体 流速、温度和反应物浓度都均勻分布,从而得到晶格结构完整、厚度和组分均勻的薄膜沉 积。背景技术金属有机化学气相沉积(即MOCVD,Metalorganic Chemical VaporDeposition), 是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。它利用较易挥发的有机物如Ga (CH3)3等作为较 难挥发的...
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