技术编号:3362918
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及溅射镀膜设备,特别是涉及一种改进型的矩形平面磁控靶结 构。背景技术目前,薄膜技术的应用已遍及国民经济各个领域。在国内制备镀膜领域中,通常把 磁控溅射作为溅射技术的主流,其主要原因就是磁控溅射的“高速”、“低温”特点,它可以在 任何基材上沉积任何镀材的薄膜。目前市场使用的矩形平面磁控靶,如图1和图2所示,矩 形平面磁控靶的靶面处于正交的磁场中,磁场方向与靶面平行,形成环形磁场。在阳极和阴 极之间加载一定的直流电压后,便产生放电,放电产生氩离子轰击矩...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。