专利名称：矩形平面磁控靶的制作方法
技术领域：
本发明涉及溅射镀膜设备技术领域，特别是涉及一种改进型的矩形平面磁控靶结 构。
背景技术：
目前，薄膜技术的应用已遍及国民经济各个领域。在国内制备镀膜领域中，通常把 磁控溅射作为溅射技术的主流，其主要原因就是磁控溅射的“高速”、“低温”特点，它可以在 任何基材上沉积任何镀材的薄膜。目前市场使用的矩形平面磁控靶，如图1和图2所示，矩 形平面磁控靶的靶面处于正交的磁场中，磁场方向与靶面平行，形成环形磁场。在阳极和阴 极之间加载一定的直流电压后，便产生放电，放电产生氩离子轰击矩形平面磁控靶的靶材 本体1的阴极，溅射的靶材沉积到基片上，形成薄膜。但在实际使用过程中，靶材发生溅射， 在溅射粒子中，中性的靶原子(或分子)在沉积于基片上形成薄膜的同时，也极易沉积在矩 形平面磁控靶的阳极与阴极间形成导电薄膜，造成短路现象的发生，在生产过程中造成不 必要的停机检修，并在维护过程中消耗大量劳动成本与设备成本。
发明内容
为了解决现有磁控溅射薄膜过程中，中性的靶原子(或分子)同时容易沉积于矩 形平面磁控靶的阳极与阴极间形成导电薄膜，造成短路现象发生的问题，本发明提供了一 种结构简单，可增加靶材与阳极间距离的矩形平面磁控靶。为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是一种矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于在靶材本体的两端向内凹陷形 成避让台阶。本发明的有益效果是本发明的矩形平面磁控靶内凹陷形成避让台阶，有效的增 加了矩形平面磁控靶靶材阴极与阳极间的距离，能避免矩形平面磁控靶阳极与阴极间形成 导电薄膜，节约了因频繁维护靶材而付出的动力成本及设备停机时间，提高了生产效率。
图1是现有技术矩形平面磁控靶的结构示意图；图2是现有技术磁控溅射装置的结构示意图；图3是本发明矩形平面磁控靶的结构示意图；图4是本发明磁控溅射装置的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明做进一步的描述。如图3和4所示，一种矩形平面磁控靶，包括靶材本体2，在靶材本体2的两端向内 凹陷形成避让台阶3，有效的增加了矩形平面磁控靶靶材阴极与阳极间的距离，避免矩形平面磁控靶阳极与阴极间形成导电薄膜。 显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员 应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明 的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和 改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效 物界定。
权利要求
一种矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于在靶材本体的两端向内凹陷形成避让台阶。
全文摘要
本发明公开了一种矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于在靶材本体的两端向内凹陷形成避让台阶。本发明涉及溅射镀膜设备技术领域，特别是涉及一种改进型的矩形平面磁控靶结构。本发明解决了现有磁控溅射薄膜过程中，中性的靶原子(或分子)容易沉积于矩形平面磁控靶的阴极与阳极间形成导电薄膜，造成短路现象发生的问题。本发明的矩形平面磁控靶内凹陷形成避让台阶，有效的增加了矩形平面磁控靶靶材阴极与阳极间的距离，能避免矩形平面磁控靶的阳极与阴极间形成导电薄膜，节约了因频繁维护靶材而付出的动力成本及设备停机时间，提高了生产效率。
文档编号C23C14/35GK101928925SQ201010168770
公开日2010年12月29日 申请日期2010年5月11日 优先权日2010年5月11日
发明者黄国兴 申请人:赫得纳米科技(昆山)有限公司