具有真空泵保护结构的真空溅射镀膜设备的制作方法

文档序号:3362917阅读:113来源:国知局
专利名称:具有真空泵保护结构的真空溅射镀膜设备的制作方法
技术领域
本发明涉及溅射镀膜设备技术领域,特别是涉及一种具有真空泵保护结构的真空 溅射镀膜设备。
背景技术
在真空设备运用中,真空泵作为一种从真空室抽除气体分子的设备,品种多样,安 装方式各不相同,作为设备达到真空的部件之一,有着极其重要性的地位。目前相关设备实 际使用过程中,靶材溅射时中性的靶原子(或分子)在沉积于基片上形成薄膜的同时也会 沉积于与真空腔体相连接的真空泵的叶片上,造成真空泵的失效,影响到产品的品质,并造 成相关联性设备的损坏。

发明内容
为了解决现有技术中,靶材溅射时,中性的靶原子(或分子)在沉积于基片上形成 薄膜的同时也会沉积于与真空腔体相连接的真空泵的叶片上的问题,提供了一种具有较好 保护功能的真空泵防护结构。为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案是一种具有真空泵保护结构的真空溅射镀膜设备,包括分子泵,箱体,真空腔体,真 空泵,在箱体内设置有真空腔体,其特征在于还包括真空泵外罩和真空泵内罩,所述分子 泵设置在箱体的上部,在分子泵与箱体相连接的位置设置有真空泵外罩,在真空泵外罩里 面设置有真空泵内罩,所述真空泵与真空腔体贯通连接,且真空泵内罩将真空泵叶片罩住。前述一种具有真空泵保护结构的真空溅射镀膜设备,其特征在于所述真空泵外 罩的底边高度高于真空泵内罩的底边高度。本发明的有益效果是本发明在分子泵与箱体的连接部位设计有真空泵外罩和真 空泵内罩的二层保护结构,真空泵外罩和真空泵内罩上设有侧边挡板,气体从侧边挡板中 间与下方抽出,从侧边飞溅过来的靶原子(或分子)被侧边挡板遮蔽,不能直接沉积于真空 泵叶片上,能避免真空泵的失效,维护设备的正常运转,避免了设备不安全因素的存在。同 时真空泵外罩的底边高度高于真空泵内罩的底边高度,侧边挡板的长度不一样,可以形成 富有层次的保护结构,更好的对真空泵叶片进行保护。


图1是本发明真空泵外罩俯视图;图2是本发明真空泵外罩右视图;图3是本发明真空泵内罩俯视图;图4是本发明真空泵内罩右视图;图5是本发明结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明做进一步的描述。如图所示,一种具有真空泵保护结构的真空溅射镀膜设备,包括分子泵1,箱体2, 真空腔体3,真空泵,真空泵外罩5和真空泵内罩6,在箱体2内设置有真空腔体3,所述分子 泵1设置在箱体2的上部,通过铆钉与箱体盖板4固定连接,在箱体盖板4的下方设置有真 空泵外罩5,在真空泵外罩5里面设置有真空泵内罩6,真空泵外罩5的底边高度高于真空 泵内罩6的底边高度。真空泵与真空腔体3贯通连接,且真空泵内罩6将真空泵叶片罩住。真空泵外罩5和真空泵内罩6都设置有侧边挡板7,真空泵将气体从侧边挡板7中 间与下方抽出,同时真空泵内罩6将真空泵叶片罩住,靶材在溅射时,中性的靶原子(或分 子)被侧边挡板7遮蔽,不能直接沉积于真空泵叶片上,避免了真空泵失效。显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员 应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明 的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和 改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效 物界定。
权利要求
一种具有真空泵保护结构的真空溅射镀膜设备,包括分子泵,箱体,真空腔体,真空泵,在箱体内设置有真空腔体,其特征在于还包括真空泵外罩和真空泵内罩,所述分子泵设置在箱体的上部,在分子泵与箱体相连接的位置设置有真空泵外罩,在真空泵外罩里面设置有真空泵内罩,所述真空泵与真空腔体贯通连接,且真空泵内罩将真空泵叶片罩住。
2.根据权利要求1所述一种具有真空泵保护结构的真空溅射镀膜设备,其特征在于 所述真空泵外罩的底边高度高于真空泵内罩的底边高度。
全文摘要
本发明公开了一种具有真空泵保护结构的真空溅射镀膜设备,涉及溅射镀膜设备技术领域,包括分子泵,箱体,真空腔体,真空泵,在箱体内设置有真空腔体,其特征在于还包括真空泵外罩和真空泵内罩,所述分子泵设置在箱体的上部,在分子泵与箱体相连接的位置设置有真空泵外罩,在真空泵外罩里面设置有真空泵内罩,所述真空泵与真空腔体贯通连接,且真空泵内罩将真空泵叶片罩住。本发明解决了现有技术中,靶材溅射时,中性的靶原子(或分子)在沉积于基片上形成薄膜的同时也会沉积于与真空腔体相连接的真空泵的叶片上的问题,提供了一种真空泵防护结构,能够防止靶材溅射时中性的靶原子(或分子)沉积于真空泵的叶片上,造成真空泵的失效。
文档编号C23C14/34GK101928923SQ20101016876
公开日2010年12月29日 申请日期2010年5月11日 优先权日2010年5月11日
发明者黄国兴 申请人:赫得纳米科技(昆山)有限公司
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