专利名称：具有交替电磁场的矩形平面磁控靶的制作方法
技术领域：
本发明涉及溅射镀膜设备技术领域，特别是涉及一种具有交替电磁场的矩形平面 磁控靶结构。
背景技术：
现代薄膜技术经过半个世纪的发展，其应用已遍及国民经济各个领域。高速低温 的溅射镀膜设备已在各个行业中广泛应用，它可以在任何基材上沉积任何镀材的薄膜。目 前市场使用的矩形平面靶，如图1所示，这种靶的磁体采用永磁体(锶铁氧体或铝镍钴等)， 矩形平面靶结构简单，通用性强。但实际使用过程中因为磁场分布及水平场强的局限性，如 图2和3所示，靶材利用率极低只有30%左右，极大的浪费了成本，并在更换维护过程中消 耗大量劳动力成本与设备成本。同时永磁体在使用过程中会产生一种渐变的消磁过程，在 生产过程中产品的品质受到此磁场变化的影响，稳定性差。
发明内容
为了解决现有技术中矩形平面磁控靶中永磁体磁场分布及水平场强的局限性，造 成靶材利用率较低，同时永磁体磁性稳定性较差的问题，本发明提供了一种结构简单，使用 方便，能够增加靶材利用率的具有交替电磁场的矩形平面磁控靶。为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于还包括磁 体，所述磁体设置在靶材本体的上部，所述磁体包含两组电磁铁，两组电磁铁相互交叉设置。本发明的有益效果是本发明设有两组交替的电磁铁，通过电流方向与通电的有 无来启动其中一个或二个电磁铁，使靶材能够交错平均消耗，靶材利用率可提升到65%左 右，降低了靶材成本，延长换靶周期降低停机时间。并可根据产品的不同改变电流的大小来 改变磁场的强弱，以达到产能最优化的性价比。电磁铁在使用过程中不会产生消磁现象，能 够稳定产品的品质，节约了成本。
图1是现有技术矩形平面磁控靶中永磁体的结构示意图；图2是现有技术矩形平面磁控靶靶材本体结构示意图；图3是现有技术矩形平面磁控靶消耗后靶材本体结构示意图；图4是本发明矩形平面磁控靶交替电磁场的分布结构示意图；图5是本发明具有交替电磁场的矩形平面磁控靶结构示意图；图6是本发明矩形平面磁控靶消耗后靶材本体结构示意图。
具体实施例方式如图所示，图1是现有技术矩形平面磁控靶中永磁体的结构示意图；图2是现有技 术矩形平面磁控靶靶材本体结构示意图；图3是现有技术矩形平面磁控靶消耗后靶材本体 结构示意图；图4是本发明矩形平面磁控靶交替电磁场的分布结构示意图；图5是本发明 具有交替电磁场的矩形平面磁控靶结构示意图；图6是本发明矩形平面磁控靶消耗后靶材 本体结构示意图。下面结合附图对本发明做进一步的描述。如图1所示，一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，包括靶材本体1和磁2体， 所述磁体2设置在靶材本体1的上部，所述磁体2包含电磁铁3和电磁铁4，电磁铁3和电 磁铁4相互交叉设置，可形成两组交错的磁场，其磁场分布均勻稳定，通过电流方向与通电 的有无来启动其中一个或二个电磁铁，并可根据产品的不同来改变电流的大小来改变磁场 的强弱，靶材可达到较高的使用效率，产品的品质也较为稳定。显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员 应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明 的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和 改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效 物界定。
权利要求
一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于还包括磁体，所述磁体设置在靶材本体的上部，所述磁体包含两组电磁铁，两组电磁铁相互交叉设置。
全文摘要
本发明公开了一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，涉及溅射镀膜设备技术领域，包括靶材本体，其特征在于还包括磁体，所述磁体设置在靶材本体的上部，所述磁体包含两组电磁铁，两组电磁铁相互交叉设置。本发明解决了现有技术矩形平面磁控靶中永磁体磁场分布及水平场强的局限性，造成靶材利用率较低，靶材利用率在30％左右，同时永磁体磁性稳定性较差的问题，本发明提供了一种结构简单，使用方便，能够增加靶材利用率的具有交替电磁场的矩形平面磁控靶。靶材利用率可提升到65％左右，降低了靶材成本，延长换靶周期降低停机时间。同时本发明采用电磁铁在使用过程中不会产生消磁现象，能够稳定产品的品质，节约了成本。
文档编号C23C14/35GK101935822SQ20101016881
公开日2011年1月5日 申请日期2010年5月11日 优先权日2010年5月11日
发明者黄国兴 申请人:赫得纳米科技(昆山)有限公司