技术编号:33638569
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种led外延结构及其制备方法、led芯片技术领域.本发明涉及发光二极管领域,尤其涉及一种led外延结构及其制备方法、led芯片。背景技术.近来年,iii-v族氮化物由于其优异的物理和化学特性(禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和迁移率高等),在电学、光学领域受到广泛的关注与应用,比如目前市场上炙手可热的蓝绿光显屏产品,以及新冠疫情后热捧的紫外光杀菌消毒模组等。然而现实应用中由于材料、结构以及工艺的限制,各类新兴led产品大规模应用依旧存在许多问题,比如电子束缚不足导致的溢流严重;空穴注入效率低...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。