技术编号：3367975
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种!^e基超导薄膜的制备方法，特别是一种新型后硒化处理制备 FeSe超导薄膜的方法，通过对FeS薄膜采用硒化处理制备1 薄膜。背景技术2008年初超导体LaFeAsCVxFx的发现引发了新型铁基超导体的研究新浪潮，主要原因不仅仅在于以往的铜基超导性能上面已有20年的时间没有更大突破，更重要的是铁基超导可能会让争议已久的超导理论机制有新的解释。同年合成了铁基超导体中结构最简单且不含As剧毒物质的β -FeSe，其超导转变温度Tc可以达到8K，加...
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