技术编号:3368398
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种。背景技术半导体制造工艺涉及快速退火处理(RTP),例如,在离子注入之后进行RTP,以修复离子注入所带来的晶格损伤。图1为现有技术中RTP装置的剖面结构示意图。如图1所示,该装置主要包括腔室101、热发生器102、外缘圆环(edgering) 103和机械臂(图未示出)。其中,热发生器102和外缘圆环103都位于腔室101内部,热发生器102用于提供高温热源以对晶片W进行加热,外缘圆环103用于承载晶片W,且外缘圆环1...
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