专利名称：快速退火处理中晶片位置校正方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种快速退火处理中晶片位置校正方法。
背景技术：
半导体制造工艺涉及快速退火处理(RTP)，例如，在离子注入之后进行RTP，以修复离子注入所带来的晶格损伤。图1为现有技术中RTP装置的剖面结构示意图。如图1所示，该装置主要包括腔室101、热发生器102、外缘圆环(edgering) 103和机械臂(图未示出)。其中，热发生器102和外缘圆环103都位于腔室101内部，热发生器102用于提供高温热源以对晶片W进行加热，外缘圆环103用于承载晶片W，且外缘圆环103可在外部部件(图未示出)的驱动下发生转动，从而带动晶片W发生旋转，机械臂位于腔室101外部，在开始进行RTP时伸入腔室101内部，并将晶片W放置于腔室101内的外缘圆环103之上，然后机械臂再伸出腔室101。需要说明的是，现有技术中RTP装置可能还包括其他组成部分，由于其他组成部分与本发明无关，故不再一一详述。如图1中的上图所示，在理想情况下，所放置的晶片W位于外缘圆环103的中心，也就是说，在任意剖面中，外缘圆环103的中轴线Ll与晶片W的中轴线L2重合。然而，在实际应用中，机械臂难以精确地将晶片W恰好放置在外缘圆环103的中心，也就是说，至少在一个剖面中，外缘圆环103的中轴线Ll与晶片W的中轴线L2不重合。如图1中的下图所示，在图示剖面中，晶片W与理想位置相比向右发生了偏移，外缘圆环103的中轴线Ll与晶片W的中轴线L2不重合。如图1中的上图所示，当晶片W被放置于外缘圆环103之上时，晶片W的底部中靠近边缘的部分和外缘圆环103接触，晶片W的底部的其他部分暴露于空气(也可能是其他用于退火处理的气体，例如氮气)中，通常外缘圆环103的主要成分为碳，碳相比于空气具有较高的导热性，如果热发生器102在整个晶片W上方都提供相同的热能，则晶片W边缘的温度必然低于晶片中间的温度。在实际应用中，热发生器102通常具有温度补偿功能，具体地说，热发生器102是以外缘圆环103的中心为对称中心进行温度补偿，例如，热发生器102在靠近外缘圆环103中心的区域将会提供较小的热能，热发生器102在外缘圆环103的周边区域将会提供较大的热能，以此对晶片W边缘的温度进行补偿，使得整个晶片W受热均勻。另外，即使实际应用中使用的热发生器102不具有温度补偿功能、只能在整个晶片W上方都提供相同的热能，在晶片W边缘部分可不制作任何半导体器件，保证了容纳半导体器件的区域受热均勻。可见，采用现有技术中的RTP装置，只要将晶片W放置于理想位置(即晶片W的中心和外缘圆环103的中心重合)，能够使得晶片W的受热均勻。然而，如图1中的下图所示，当晶片W与理想位置相比向右发生了偏移时，晶片W的右边区域与外缘圆环103具有比较大的接触面积，晶片W的左边区域与外缘圆环103具有比较小的接触面积，则晶片W右边区域的平均温度低于晶片W左边区域的温度，使得晶片W受热不均。即使热发生器102具有温度补偿功能，由于热发生器102是以外缘圆环103的中心为对称中心进行温度补偿的，晶片W还是会出现受热不均的现象。可见，当晶片W与理想位置相比发生偏移时，则会导致晶片W受热不均，受热不均会导致同一片晶片在温度不同的区域具有不同的性能，在实际生产过程中，需要对晶片W的位置进行校正，使得晶片W被调整至理想位置。在现有技术中，通常采用以下方法对晶片W的位置进行校正。步骤一，采用机械臂将控片放置于腔室101内部的外缘圆环103上，然后对控片进行 RTP。步骤二，当RTP结束后，采用4探针技术在控片表面均勻选取多个点，以测量每个点处的电阻值Rs。步骤三，由于电阻值Rs与温度值之间具有一定的线性关系，例如，当电阻值Rs等于a时，温度值为b，而当电阻值Rs等于IOa时，温度值为10b，因此，可依据预先已知的线性关系，计算所选取的多个点中每一点所对应的温度值。步骤四，若位于某一直径上的两点的温度之差的绝对值大于；TC，则视为控片沿该直径方向发生了偏移。如图1的下图所示，若P点的温度与Q点的温度值之差大于3°c，则视为控片与理想位置相比向右发生了偏移。步骤五，根据步骤四所确定的偏移方向，对机械臂进行调整，例如，如果发现控片与理想位置相比向右发生了偏移，则对机械臂进行调整，使得机械臂向左稍偏移。机械臂调整完毕后，再选取一个控片，然后再返回执行步骤一，直至在控片上所选取的多个点中，任意两点之间的温度差都小于等于;TC，则视为控片已位于理想位置，即控片的中心和外缘圆环的中心重合，然后可执行步骤六。步骤六，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室101内部的外缘圆环103上，然后对产品晶片进行RTP。由于之前已对机械臂进行调整，因此，调整后的机械臂可保证产品晶片被放置在理想位置。至此，本流程结束。可见，在现有技术中，需要预先对控片进行RTP，然后在控片上选取多个点检测每一点的电阻，从而检测控片发生偏移的方向，即放置控片的机械臂发生偏移的方向，但是，现有技术的方法只能检测出控片相对于理想位置往哪个方向发生了偏移，无法检测出偏移量究竟是多少，所以现有技术中只能根据当前控片发生偏移的方向反复进行尝试性的调整，耗费时间比较长，降低了晶片位置的校正效率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种快速退火处理中晶片位置校正方法，能够提高晶片位置的校正效率。为解决上述技术问题，本发明的技术方案是这样实现的一种快速退火处理中晶片位置校正方法，该方法应用于快速退火处理装置中，该装置包括腔室、热发生器、外缘圆环和机械臂，其中，位于腔室外部的机械臂用于将控片或产品晶片放置于腔室内的外缘圆环之上，外缘圆环用于承载控片或产品晶片并带动其旋转，外边缘圆环的内边缘线被所放置的控片或产品晶片覆盖、外边缘线暴露出来，位于腔室内部的热发生器用于提供高温热源，该方法包括A、采用机械臂将控片放置于腔室内部的外缘圆环上，控片在外缘圆环的带动下发生旋转，然后采用热发生器对控片进行加热；B、控片半径与控片边缘线的交点记作第1点，半径延长线与外缘圆环的外边缘线的交点记作第2点，选择任一半径作为第1半径，沿控片旋转的相反方向，依次选择与第1半径间隔a度的第2半径、间隔胁2度的第3半径、直至间隔a*(N-l)度的第N半径，采用激光束分别探测沿第1、2、3、直至第N半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离、直至第N距离，其中，N为大于等于4的偶数，a等于360度与N的商；C、设置变量i的初始值为1，判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果判断结果为是，则直接执行步骤D ；否则，如果第i距离大于第i+N/2距离，则确定第i调整方向为沿第i半径朝向外缘圆环的外边缘线，第i调整量为第i距离和第i+N/2距离之差的一半，如果第i距离小于第i+N/2距离，则确定第i调整方向为沿第i+N/2半径朝向外缘圆环的外边缘线，第i调整量为第i+N/2距离和第i距离之差的一半；D、i的值累加1，将累加后的i的值作为更新后的i，如果更新后的i小于等于N/2，则返回执行步骤C ；否则，直接执行步骤E ；E、按照所述确定的第1调整量、第2调整量、直至第N/2调整量中的任意多项，以及第1调整方向、第2调整方向、直至第N/2调整方向中的任意多项对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上，产品晶片在外缘圆环的带动下发生旋转，然后采用热发生器对产品晶片进行加热。步骤B所述采用激光束探测沿第1半径方向的第1点和第2点之间的第1距离的方法包括采用激光发射器向第1半径所在区域发射激光束；激光探测器和激光发射器位于与控片平行的同一平面内，激光探测器接收反射光束并从所接收的反射光束中探测到在第ι点反射而形成的第1反射光线以及在第2点反射而形成的第2反射光，其中，第1反射光线在激光探测器上的投影点为第1投影点，第二反射光线在激光探测器上的投影点为第2投影点；将第1投影点和第2投影点之间的距离的一半作为第1距离；步骤B所述采用激光束探测沿第2半径方向的第1点和第2点之间的第1距离的方法包括采用激光发射器向第2半径所在区域发射激光束；激光探测器和激光发射器位于与控片平行的同一平面内，激光探测器接收反射光束并从所接收的反射光束中探测到在第ι点反射而形成的第1反射光线以及在第2点反射而形成的第2反射光，其中，第1反射光线在激光探测器上的投影点为第1投影点，第二反射光线在激光探测器上的投影点为第2投影点；将第1投影点和第2投影点之间的距离的一半作为第2距离；按照上述方法，直至探测沿第N半径方向的第1点和第2点之间的第1距离，其中，步骤B所述采用激光束探测沿第N半径方向的第1点和第2点之间的第1距离的方法包括
采用激光发射器向第N半径所在区域发射激光束；激光探测器和激光发射器位于与控片平行的同一平面内，激光探测器接收反射光束并从所接收的反射光束中探测到在第1点反射而形成的第1反射光线以及在第2点反射而形成的第2反射光，其中，第1反射光线在激光探测器上的投影点为第1投影点，第二反射光线在激光探测器上的投影点为第2投影点；将第1投影点和第2投影点之间的距离的一半作为第N距离。所述阈值D等于0. 01毫米至1毫米中的任一数值。所述N大于等于50。根据本发明所提供的技术方案，采用激光束分别探测沿第1、2、3...N控片半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离...第N距离，i从1取至N/2，分别判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果大于阈值D，则确定第i调整方向和第i调整量，根据所确定的调整方向和调整量对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上，保证产品晶片被置于理想位置。可见，本发明不仅确定了调整量还确定了调整方向，可依据调整量和调整方向对晶片进行准确的调整，无需反复尝试调整，提高了晶片位置的校正效率。
图1为现有技术中RTP装置的剖面结构示意图。图2为本发明所提供的一种快速退火处理中晶片位置校正方法的流程图。图3为激光束的探测原理示意图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明所述方案作进一步地详细说明。本发明的核心思想为采用激光束分别探测沿第1、2、3..^控片半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离...第N距离，i从1取至N/2，分别判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果大于阈值D，则确定第i调整方向和第i调整量，根据所确定的调整方向和调整量对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上，保证产品晶片被置于理想位置。本发明应用于现有技术中的RTP装置中，如图1所示，该装置主要包括腔室101、热发生器102、外缘圆环103和机械臂(图未示出)。位于腔室101外部的机械臂用于将控片或产品晶片放置于腔室101内的外缘圆环103之上，外缘圆环103用于承载控片或产品晶片并带动其旋转，外边缘圆环103的内边缘线被所放置的控片或产品晶片覆盖、外边缘线暴露出来，位于腔室101内部的热发生器102用于提供高温热源。图2为本发明所提供的一种快速退火处理中晶片位置校正方法的流程图。如图2所示，该方法包括步骤11，采用机械臂将控片放置于腔室内部的外缘圆环上，控片在外缘圆环的带动下发生旋转，然后采用热发生器对控片进行加热。
步骤12，控片半径与控片边缘线的交点记作第1点，半径延长线与外缘圆环的外边缘线的交点记作第2点，选择任一半径作为第1半径，沿控片旋转的相反方向，依次选择与第1半径间隔a度的第2半径、间隔胁2度的第3半径...间隔a* (N-I)度的第N半径，采用激光束分别探测沿第1、2、3. . . N半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离...第N距离，其中，N为大于等于4的偶数，a等于360度与N的商。步骤13，设置变量i的初始值为1，判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果判断结果为是，则直接执行步骤14 ；否则，如果第i距离大于第i+N/2距离，则确定第i调整方向为沿第i半径朝向外缘圆环的外边缘线，第i调整量为第i距离和第i+N/2距离之差的一半，如果第i距离小于第i+N/2距离，则确定第i调整方向为沿第i+N/2半径朝向外缘圆环的外边缘线，第i调整量为第i+N/2距离和第i距离之差的一半。步骤14，i的值累加1，将累加后的i的值作为更新后的i，如果更新后的i小于等于N/2，则返回执行步骤13 ；否则，直接执行步骤15。步骤15，按照所述确定的第1调整量、第2调整量...和/或第N/2调整量，以及第1调整方向、第2调整方向...和/或第N/2调整方向对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上，产品晶片在外缘圆环的带动下发生旋转，然后采用热发生器对产品晶片进行加热。至此，本流程结束。下面通过一个实施例对本发明进行详细介绍。在该实施例中，N取4，该实施例包括如下步骤步骤201，采用机械臂将控片K放置于腔室101内部的外缘圆环103上，控片K在外缘圆环103的带动下发生旋转，然后采用热发生器102对控片K进行加热。本步骤与现有技术相同，此处不再详述。步骤202，将控片K的半径与控片K边缘线的交点记作第1点，半径延长线与外缘圆环103的外边缘线的交点记作第2点，选择任一半径作为第1半径，沿控片K旋转的相反方向，依次选择与第1半径间隔90度的第2半径、间隔180度的第3半径，间隔270度的第4半径，采用激光束分别探测沿第1、2、3、3半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离和第4距离。在现有技术中，采用激光束探测距离已被广泛应用，上述探测距离的方式可参考现有技术中的方法。本发明仅提出一种激光束探测方法作为优选实施例，图3为激光束的探测原理示意图，下面结合图1和图3对本步骤所述探测方法进行详细介绍。控片K的中心为0，选择任一半径OCl作为第1半径，沿第1半径方向的Cl为第1点，沿第1半径方向的Dl为第2点，ClDl为第1距离。沿控片K旋转的相反方向(图示控片K旋转方向为逆时针方向，则控片K旋转的相反方向为顺时针方向)，依次选择与第1半径间隔90度的第2半径0C2、间隔180度的第3半径0C3,间隔270度的第4半径0C4,则第2距离为C2D2，第3距离为C3D3，第4距离为C4D4。则C1D1、C2D2、C3D3和C4D4均为探测目标，下面仅以ClDl的探测过程为例进行说明，C2D2、C3D3和C4D4与ClDl的探测过程相同，探测过程包括第一，采用激光发射器向第1半径OCl所在区域发射激光束，例如，激光发射器位于图3中的01处。第二，激光探测器301和激光发射器位于与控片K平行的同一平面内，如图3所示，激光探测器301与激光发射器位于平面M内，且平面M与控片K平行，激光探测器301用于接收反射光束并从所接收的反射光束中探测到在第1点Cl点反射而形成的第1反射光线C1A1，以及在第2点Dl点反射而形成的第2反射光线D1B1。其中，第1反射光线ClAl在激光探测器301上的投影点为第1投影点Al，第二反射光线DlBl在激光探测器301上的投影点为第2投影点Bi。激光探测器和激光发射器为现有技术中常用的激光检测部件，此处不再进行详细介绍。另外，需要说明的是，激光探测器之所以能够从反射光束中探测到C1A1、D1B1，是因为Cl、Dl都为反射率的转变点，激光探测器通过反射率的不同以确定来自反射率转变点的反射光线，具体地说，OCl位于控片K上，OCl上各点具有相同的反射率，ClDl位于外缘圆环103上，ClDl上各点具有相同的反射率，且不同于OCl上各点的反射率，而Dl点的外部为空气(也可能是其他用于退火处理的气体，例如氮气)。第三，将第1投影点Al和第2投影点Bl之间的距离AlBl的一半作为第1距离QD1。如图3所示，根据反射定律，以及01、A1、B1位于与控片K平行的同一平面M内，则可知=OlDl = DlBl，OlCl = ClAl。假设B2点是Bl点相对于控片K的对称点，A2点是Al点相对于控片K的对称点，则B2必定位于OlDl的延长线上，A2必定位于OlCl的延长线上，且 DlBl = D1B2, ClAl = C1A2, AlBl = A2B2。由上述分析过程可知，在三角形01A2B2中，OlDl = D1B2，01C1 = C1A2，因此ClDl等于AlBl的一半。在实际应用中，由于控片K相对于中心0是对称的，因此，如果激光探测器301和激光发射器能够探测到第1距离ClDl，则控片K按照图3所示逆时针方向旋转90度后，激光探测器301和激光发射器能够探测到第2距离C2D2，控片K按照图3所示逆时针方向再旋转90度后，激光探测器301和激光发射器能够探测到第3距离C3D3，控片K按照图3所示逆时针方向再旋转90度后，激光探测器301和激光发射器能够探测到第4距离C4D4，探测第2、3、4距离的方法与上述探测第1距离的方法相同。步骤203，判断第1距离与第3距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果是，则直接执行步骤204 ；否则，如果第1距离大于第3距离，则确定第1调整方向为沿第1半径朝向外缘圆环103的外边缘线，第1调整量为第1距离和第3距离之差的一半，如果第1距离小于第3距离，则确定第1调整方向为沿第3半径朝向外缘圆环103的外边缘线，第1调整量为第3距离和第1距离之差的一半。优选地，阈值D等于0. 01毫米至1毫米中的任一数值。如果第1距离ClDl与第3距离C3D3之差的绝对值小于或等于阈值D，则无需沿直线C1C3方向调整控片K的位置。如果第1距离ClDl与第3距离C3D3之差的绝对值大于阈值D，再判断第1距离ClDl是否大于第3距离C3D3，如果第1距离ClDl大于第3距离C3D3，则应使得控片K沿OCl朝向外缘圆环103的外边缘线移动，移动的距离为第1距离ClDl和第3距离C3D3之差的一半，然后，再执行步骤204。相反地，如果第1距离ClDl小于第3距离C3D3，则应使得控片K沿0C3朝向外缘圆环103的外边缘线移动，移动的距离为第3距离C3D3和第1距离ClDl之差的一半，然后，再执行步骤204。步骤204，判断第2距离与第4距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果是，则直接执行步骤205 ；否则，如果第2距离大于第4距离，则确定第2调整方向为沿第2半径朝向外缘圆环103的外边缘线，第2调整量为第2距离和第4距离之差的一半，如果第2距离小于第4距离，则确定第2调整方向为沿第4半径朝向外缘圆环103的外边缘线，第2调整量为第4距离和第2距离之差的一半。优选地，阈值D等于0. 03毫米。如果第2距离C2D2与第4距离C3D3之差的绝对值小于或等于阈值D，则无需沿直线C2C4方向调整控片K的位置。如果第2距离C2D2与第4距离C4D4之差的绝对值大于阈值D，再判断第2距离C21D2是否大于第4距离C4D4，如果第2距离C2D2大于第4距离C4D4，则应使得控片K沿0C2朝向外缘圆环103的外边缘线移动，移动的距离为第2距离C2D2和第4距离C4D4之差的一半，然后，再执行步骤205。相反地，如果第2距离C2D2小于第4距离C4D4，则应使得控片K沿0C4朝向外缘圆环103的外边缘线移动，移动的距离为第4距离C4D4和第2距离C2D2之差的一半，然后，再执行步骤205。步骤205，按照所述确定的第1调整量、第1调整方向、第2调整量和/或第2调整方向，对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室101内部的外缘圆环103上，产品晶片在外缘圆环103的带动下发生旋转，然后采用热发生器102对产品晶片进行加热。根据所确定的调整量和调整方向对机械臂进行调整的方法为现有技术的内容，此处不予赘述。当对机械臂调整完毕后，采用调整后的机械臂放置产品晶片可保证产品晶片被放置于理想位置，避免了产品晶片受热不均的情况。另外，在上述实施例中，仅以探测第1、2、3、4半径上的第1、2、3、4距离为例进行说明，在实际应用中，在控片上至少选择四个半径，且每相邻两个半径的间隔都为90度，因此N的最小值为4，a的最小值为90。在实际应用中，控片的转速通常为4圈/秒，优选地，探测频率至少为200赫兹，也就是说，当控片旋转一圈时，至少探测50次，即N大于等于50，所选择每相邻两个半径的间隔至少都为a = 306度/50 = 7. 2度。当然，对于N的最大值没有限定，N的值越大，则调整精度越高。至此，本流程结束。由上述的技术方案可见，本发明采用激光束分别探测沿第1、2、3...N控片半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离...第N距离，i从1取至N/2，分别判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果大于阈值D，则确定第i调整方向和第i调整量，根据所确定的调整方向和调整量对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上，保证产品晶片被置于理想位置。可见，本发明不仅确定了调整量还确定了调整方向，可依据调整量和调整方向对晶片进行准确的调整，无需反复尝试调整，提高了晶片位置的校正效率。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种快速退火处理中晶片位置校正方法，该方法应用于快速退火处理装置中，该装置包括腔室、热发生器、外缘圆环和机械臂，其中，位于腔室外部的机械臂用于将控片或产品晶片放置于腔室内的外缘圆环之上，外缘圆环用于承载控片或产品晶片并带动其旋转，外边缘圆环的内边缘线被所放置的控片或产品晶片覆盖、外边缘线暴露出来，位于腔室内部的热发生器用于提供高温热源，其特征在于，该方法包括A、采用机械臂将控片放置于腔室内部的外缘圆环上，控片在外缘圆环的带动下发生旋转，然后采用热发生器对控片进行加热；B、控片半径与控片边缘线的交点记作第1点，半径延长线与外缘圆环的外边缘线的交点记作第2点，选择任一半径作为第1半径，沿控片旋转的相反方向，依次选择与第1半径间隔a度的第2半径、间隔胁2度的第3半径、直至间隔a*(N-l)度的第N半径，采用激光束分别探测沿第1、2、3、直至第N半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离、直至第N距离，其中，N为大于等于4的偶数，a等于360度与N的商；C、设置变量i的初始值为1，判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果判断结果为是，则直接执行步骤D ；否则，如果第i距离大于第i+N/2距离，则确定第i调整方向为沿第i半径朝向外缘圆环的外边缘线，第i调整量为第i距离和第i+N/2距离之差的一半，如果第i距离小于第i+N/2距离，则确定第i调整方向为沿第i+N/2半径朝向外缘圆环的外边缘线，第i调整量为第i+N/2距离和第i距离之差的一半；D、i的值累加1，将累加后的i的值作为更新后的i，如果更新后的i小于等于N/2，则返回执行步骤C ；否则，直接执行步骤E ；E、按照所述确定的第1调整量、第2调整量、直至第N/2调整量中的任意多项，以及第1调整方向、第2调整方向、直至第N/2调整方向中的任意多项对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上，产品晶片在外缘圆环的带动下发生旋转，然后采用热发生器对产品晶片进行加热。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤B所述采用激光束探测沿第1半径方向的第1点和第2点之间的第1距离的方法包括采用激光发射器向第1半径所在区域发射激光束；激光探测器和激光发射器位于与控片平行的同一平面内，激光探测器接收反射光束并从所接收的反射光束中探测到在第1点反射而形成的第1反射光线以及在第2点反射而形成的第2反射光，其中，第1反射光线在激光探测器上的投影点为第1投影点，第二反射光线在激光探测器上的投影点为第2投影点；将第1投影点和第2投影点之间的距离的一半作为第1距离；步骤B所述采用激光束探测沿第2半径方向的第1点和第2点之间的第1距离的方法包括采用激光发射器向第2半径所在区域发射激光束；激光探测器和激光发射器位于与控片平行的同一平面内，激光探测器接收反射光束并从所接收的反射光束中探测到在第1点反射而形成的第1反射光线以及在第2点反射而形成的第2反射光，其中，第1反射光线在激光探测器上的投影点为第1投影点，第二反射光线在激光探测器上的投影点为第2投影点；将第1投影点和第2投影点之间的距离的一半作为第2距离；按照上述方法，直至探测沿第N半径方向的第1点和第2点之间的第1距离，其中，步骤B所述采用激光束探测沿第N半径方向的第1点和第2点之间的第1距离的方法包括采用激光发射器向第N半径所在区域发射激光束；激光探测器和激光发射器位于与控片平行的同一平面内，激光探测器接收反射光束并从所接收的反射光束中探测到在第1点反射而形成的第1反射光线以及在第2点反射而形成的第2反射光，其中，第1反射光线在激光探测器上的投影点为第1投影点，第二反射光线在激光探测器上的投影点为第2投影点；将第1投影点和第2投影点之间的距离的一半作为第N距离。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阈值D等于0.01毫米至1毫米中的任一数值。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述N大于等于50。
全文摘要
本发明公开了一种快速退火处理中晶片位置校正方法，采用激光束分别探测沿第1、2、3...N控片半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离...第N距离，i从1取至N/2，分别判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果大于阈值D，则确定第i调整方向和第i调整量，根据所确定的调整方向和调整量对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上。采用本发明公开的方法能够提高晶片位置的校正效率。
文档编号H01L21/66GK102569145SQ201010603138
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月23日 优先权日2010年12月23日
发明者朱红波, 陈勇 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司