技术编号：33701645
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。通过子鳍状物半导体材料的背面处理减小源极/漏极泄漏的晶体管背景技术.在电子器件应用中对更高性能的集成电路(ic)的需求已经推动了日益复杂的晶体管架构。一些晶体管结构包括多层晶体半导体沟道材料。有利地，可以在晶体半导体衬底的籽晶表面上外延生长晶体半导体沟道材料的堆叠体。.晶体管结构的沟道区通常耦合到外延源极和漏极半导体材料，该材料也从通过蚀刻穿过半导体鳍状物材料而暴露的籽晶表面再生长，该半导体鳍状物材料然后被重掺杂的源极和漏极半导体材料代替。为了更高的电荷载流子迁移率，一些晶体管结构可以被设计...
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