技术编号:3370721
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属微电子材料领域,具体是涉及应用于金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中的高介电系数栅电介质材料及其制备方法。背景技术 在硅基半导体集成电路中,金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)是构成记忆单元、微处理器及逻辑电路的基本单元。它的体积的大小直接关系到超大规模集成电路的集成度。按著名的摩尔定律,每隔18个月集成电路的集成度要增加一倍。根据1999年国际半导体工业协会公布的国际半导体工艺路图(ITRS)的预测,到2005年,0.1μm的光...
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