技术编号:33710744
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及多铁半导体材料领域,尤其是涉及一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法。背景技术.近年来,半导体行业高速发展,超大规模集成(ulsi)技术对于新型半导体材料的需求也日渐增长,但传统半导体材料如si、sic、ge及gaas等已到达功能极限。随着集成电路(ic)的有源器件深入研发,半导体领域关键零部件也朝着集成化、小型化、复合化方向发展。多铁性材料一般指具有多种“铁”性的功能材料,由铁磁与铁电共存的多铁性材料具有比传统铁电体更小的带隙。因而,多铁性材料在半导体领域具有较大的应用潜力,多铁...
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