技术编号:33713875
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体材料制备技术领域,具体涉及柔性石墨烯/锗异质结的制备方法,本发明还涉及柔性石墨烯/锗异质结的转移方法。背景技术.ge和si同为iv族元素半导体材料,具有相同的基本特性,也是最早用来制备晶体管的半导体材料。ge材料的电子和空穴的迁移率都很高,分别可以达到±cm·v-·s-和±cm·v-·s-,比目前众多的si化合物半导体材料也要高得多。特别是在弛豫sige衬底上生长的应变ge材料受到双轴压应变的作用,使得空穴的迁移率大大增强,可以达到si...
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