技术编号:3373410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高压气体容器的处理方法,具体地说,涉及内表面表层部分的Si含量在一定量以下的高压气体容器的处理方法和充填在该高压气体容器中的含卤素的气体充填物。更具体地说,本发明涉及在利用水压进行的耐压试验后,研磨其内表面达到一定深度的高压气体容器的处理方法和充填在该高压气体容器中的含卤素的气体充填物。背景技术 含卤素的气体被作为半导体掺杂剂、干腐蚀剂和CVD装置的清洗气体而使用,但是对用于这些用途的含卤素的气体要求其具有高的纯度。对于这样的高纯度气体的充填容器...
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