技术编号:33734739
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种碳化硅外延片及其制备方法。背景技术.近年来,随着光伏和新能源汽车产业的不断发展,行业对功率半导体器件的需求也逐渐旺盛。碳化硅(sic)以其优异的物理特性在器件半导体上大放异彩。运用碳化硅材料制造的功率器件,能够显著提升模组效率并减小体积。.由于现在所有的器件基本上都是在外延上实现,所以外延的质量对器件的性能影响是非常大的,但是外延的质量又受到晶体和衬底的影响。对碳化硅外延来说,基本上很多缺陷都是从衬底中直接复制过来的,所以衬底的质量、加工的水平对于外...
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