技术编号:3373829
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种。背景技术随着半导体器件集成度不断增大,与半导体器件相关的临界尺寸不断减小,器件的寄生电阻和寄生电容对器件性能的影响变得越来越显著,RC(电阻、电容)延迟变得越来越大,因此,低电阻率的互连结构成为制造高集成度半导体器件的一个关键要素。金属硅化物和自对准金属硅化物及形成工艺已被广泛地用于降低MOS晶体管的栅极、源极、漏极的电阻,包括薄层电阻和接触电阻,进而降低RC延迟时间。现有的自对准金属硅化物技术中, 常采用硅化镍作为...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。