技术编号:3374802
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术CuIn1^xGaxSe2 (CIGS)薄膜太阳能电池光电转化效率高、性能稳定、抗辐射能力强, 制造成本低,现今得到各国光伏产业界的重视,是最有前途的第二代太阳能电池。黄铜矿 CIGS材料由四种元素组成,其组分偏离化学计量比在一定范围内,材料都可保持结构和性能基本不变。研究表明,高效率CIGS电池对应的CIGS光吸收层薄膜的成分窗口为0.69 < Cu/(Ga+In) < 0. 98,0. 21 < Ga/(Ga+I...
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